Вышедшие номера
Обострение оптических импульсов в вертикально-излучающих лазерах с активной областью на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs
Дюделев В.В.1,2, Малеев Н.А.1, Кузьменков А.Г.1,3, Блохин С.А.1, Мыльников В.Ю.1,4, Кучинский В.И.1, Устинов В.М.3,1, Рафаилов Э.У.5,2, Соколовский Г.С.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5Aston Institute of Photonic Technologies, Aston University, Birmingham, UK
Email: gs@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.

-1 Представлены результаты исследований вертикально-излучающих лазеров на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs с оксидной апертурой диаметром ~ 1 mum. Продемонстрирована возможность обострения выходных оптических импульсов до 50-100 ps при накачке электрическими импульсами длительностью 10-100 ns с частотой повторения 10-100 kHz. DOI: 10.21883/PJTF.2017.24.45336.16992