Вышедшие номера
Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S1063785018020116
Резник Р.Р.1,2,3,4,5, Цырлин Г.Э., Штром И.В.1,2, Хребтов А.И.1, Сошников И.П.1,2,6, Крыжановская Н.В.1, Моисеев Э.И.1, Жуков А.Е.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5Department of Engineering, Durham University, Durham DH1 3LE, United Kingdom
6Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: moment92@mail.ru, cirlin.beam@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Представлены результаты исследования роста нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111). Использование специальной методики подготовки подложек непосредственно перед ростом позволило получить практически 100% когерентных по отношению к подложке нитевидных нанокристаллов. Обнаружено интенсивное излучение от подобных наноструктур на длине волны ~ 1.3 mum при комнатной температуре. DOI: 10.21883/PJTF.2018.03.45579.16991