Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения n-SiC высокоэнергетическими ионами аргона
Иванов П.А.
1, Потапов А.С.
1, Кудояров М.Ф.1, Козловский М.А.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
В карбиде кремния n-типа с помощью облучения высокоэнергетическими (53 MeV) ионами аргона созданы приповерхностные полуизолирующие слои (i-SiC). Исследовано влияние термического отжига на электрические свойства облученных слоев. Показано, что наиболее высокоомными облученные слои i-SiC становятся после термообработки при температуре 600oC: их удельное сопротивление при комнатной температуре составляет не менее 1.6· 1013Omega· cm, а при температуре 230oC - около 5· 107Omega· cm. DOI: 10.21883/PJTF.2018.06.45762.16987
- Иванов П.А., Кудояров М.Ф., Козловский М.А., Потапов А.С., Самсонова Т.П. // ФТП. 2016. Т. 50. B. 7. C. 937--940
- Иванов П.А., Кудояров М.Ф., Козловский М.А., Потапов А.С., Самсонова Т.П. // Тр. XXVI Междунар. конф. "Радиационная физика твердого тела". Севастополь, 2016. C. 84
- Kaneko H., Kimoto T. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 262106
- Kozlovski V.V., Lebedev A.A., Bogdanova E.V. // J. Appl. Phys. 2015. V. 117. P. 155702
- Лебедев А.А., Козловский В.В., Белов С.В., Богданова Е.В., Оганесян Г.А. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 9. С. 1188--1190
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
