Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения n-SiC высокоэнергетическими ионами аргона
Переводная версия: 10.1134/S1063785018030197 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
В карбиде кремния n-типа с помощью облучения высокоэнергетическими (53 MeV) ионами аргона созданы приповерхностные полуизолирующие слои (i-SiC). Исследовано влияние термического отжига на электрические свойства облученных слоев. Показано, что наиболее высокоомными облученные слои i-SiC становятся после термообработки при температуре 600oC: их удельное сопротивление при комнатной температуре составляет не менее 1.6· 1013Omega· cm, а при температуре 230oC - около 5· 107Omega· cm. DOI: 10.21883/PJTF.2018.06.45762.16987
- Иванов П.А., Кудояров М.Ф., Козловский М.А., Потапов А.С., Самсонова Т.П. // ФТП. 2016. Т. 50. B. 7. C. 937--940
- Иванов П.А., Кудояров М.Ф., Козловский М.А., Потапов А.С., Самсонова Т.П. // Тр. XXVI Междунар. конф. "Радиационная физика твердого тела". Севастополь, 2016. C. 84
- Kaneko H., Kimoto T. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 262106
- Kozlovski V.V., Lebedev A.A., Bogdanova E.V. // J. Appl. Phys. 2015. V. 117. P. 155702
- Лебедев А.А., Козловский В.В., Белов С.В., Богданова Е.В., Оганесян Г.А. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 9. С. 1188--1190
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
