Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 6 » Статья стр. 94
<<<>>>
Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2018.06.45772.17075
Переводная версия: 10.1134/S1063785018030264
РНФ, 14-22-00107
Сорокин С.В. 1, Седова И.В. 1, Беляев К.Г. 1, Рахлин М.В.1, Яговкина М.А.1, Торопов А.А. 1, Иванов С.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sorokin@beam.ioffe.ru, irina@beam.ioffe.ru, belyaev_k_g@mail.ru, maximrakhlin@mail.ru, Ymasha@mail.ioffe.ru, toropov@beam.ioffe.ru, ivan@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования технологии выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InAs(001), конструкции и люминесцентных свойств гетероструктур с квантовыми точками (КТ) CdTe/Zn(Mg)(Se)Te. Приведены результаты рентгеноструктурных исследований короткопериодных сверхрешеток ZnTe/MgTe/MgSe, используемых в качестве широкозонных барьеров в структурах с КТ CdTe/ZnTe для эффективного ограничения дырок. Показано, что при конструировании данных сверхрешеток необходимо учитывать замещение атомов Te селеном на гетероинтерфейсах MgSe/ZnTe и MgTe/MgSe. В гетероструктурах с КТ CdTe/Zn(Mg)(Se)Te продемонстрирована фотолюминесценция КТ вплоть до 300 K. Спектры микрофотолюминесценции при T = 10 K демонстрируют набор линий от одиночных КТ CdTe/ZnТе, при этом поверхностная плотность КТ может быть оценена как ~ 1010 cm-2. DOI: 10.21883/PJTF.2018.06.45772.17075
  1. Tribu A., Sallen G., Aichele T., Andre R., Poizat J.-P., Bougerol C., Tatarenko S., Kheng K. // Nano Lett. 2008. V. 8. N 12. P. 4326--4329
  2. Fedorych O., Kruse C., Ruban A., Hommel D., Bacher G., Kummell T. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. N 6. P. 061114
  3. Couteau C., Moehl S., Tinjod F., Gerard J.M., Kheng K., Mariette H., Gaj J.A., Romestain R., Poizat J.P. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. N 25. P. 6251--6253
  4. Sorokin S.V., Sedova I.V., Gronin S.V., Klimko G.V., Belyaev K.G., Rakhlin M.V., Mukhin I.S., Toropov A.A., Ivanov S.V. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 477. P. 127--130
  5. Tinjod F., Gilles B., Moehl S., Kheng K., Mariette H. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. N 24. P. 4340--4342
  6. Kobak J., Rousset J.-G., Rudniewski R., Janik E., Slupinski T., Kossacki P., Golnik A., Pacuski W. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 378. P. 274--277
  7. Wojnar P., Karczewski G., Wojtowicz T., Kossut J. // Acta Phys. Pol. A. 2007. V. 112. N 2. P. 283--288
  8. Сорокин С.В., Седова И.В., Гронин С.В., Беляев К.Г., Рахлин М.В., Торопов А.А., Мухин И.С., Иванов С.В. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 24. С. 64--71
  9. Grabs P., Richter G., Fiederling R., Becker C.R., Ossau W., Schmidt G., Molenkamp L.W., Weigand W., Umbach E., Sedova I.V., Ivanov S.V. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. N 20. P. 3766--3768
  10. Pacuski W., Kruse C., Figge S., Hommel D. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. N 19. P. 191108
  11. Bonef B., Gerard L., Rouvi\`ere J.-L., Grenier A., Jouneau P.-H., Bellet-Amalric E., Mariette H., Andre R., Bougerol C. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. N 5. P. 051904
  12. Sedova I.V., Sorokin S.V., Sitnikova A.A., Zolotareva R.V., Ivanov S.V., Kop'ev P.S. // Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology". St. Petersburg, Russia, 1999. P. 547--549
  13. Rousset J.-G., Kobak J., Janik E., Parlinska-Wojtan M., Slupinski T., Golnik A., Kossacki P., Nawrocki M., Pacuski W. // J. Appl. Phys. 2016. V. 119. N 18. P. 183105

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme