Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 7 » Статья стр. 30
<<<>>>
Выявление пространственного и квантового ограничения Si-наночастиц, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на кристаллический Si
DOI: 10.21883/PJTF.2018.07.45882.17117
Переводная версия: 10.1134/S1063785018040107
Соболев М.М.1, Кен О.С.1, Сресели О.М.1, Явсин Д.А.1, Гуревич С.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.sobolev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.
PDF версия
Проведены исследования C-V-характеристик и DLTS-спектров гетероструктур из слоев плотноупакованных аморфных наночастиц Si, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на монокристаллические подложки p-Si. Наблюдаемые закономерности в поведении C-V-характеристик и DLTS-спектров, измеренных в темноте и при подсветке белым светом с различными значениями напряжений импульса Ub и импульса заполнения Uf, позволили предположить, что пространственно локализованные аморфные наночастицы Si имеют средний размер - менее 2 nm, что сопоставимо с длиной волны де Бройля электрона, и характеризуются квантовым ограничением. Происходит образование основного и возбужденного состояний квантовых точек, проявляющих эффекты Штарка, электрического диполя и контролируемого метастабильного заполнения при подсветке. DOI: 10.21883/PJTF.2018.07.45882.17117
  1. Yoshikawa K., Kawasaki H., Yoshida W., Irie T., Konishi K., Nakano K., Uto T., Adachi D., Kanematsu M., Uzu H., Yamamoto K. // Nature Energy. 2017. V. 2. P. 17032
  2. Гуревич С.А., Андронников Д.А., Давыдов В.Ю., Кожевин В.М., Макаренко И.В., Титков А.Н., Явсин Д.А., Кулова Т.Л., Скундин А.М. // Тр. XIV Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроинка". Н. Новгород, 2010. Т. 2. С. 333--334
  3. Кен О.С., Андроников Д.А., Явсин Д.А., Кукин А.В., Данилов С.Н., Смирнов А.Н., Сресели О.М., Гуревич С.А. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 11. Р. 1555--1561
  4. Brounkov P.N., Benyattou T., Guillot G. // J. Appl. Phys. 1996. V. 80. N 2. P. 864--871
  5. Соболев М.М., Ковш А.Р., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Мусихин Ю.Г. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 2. С. 184--193
  6. Алешкин В.Я., Демидов Е.В., Звонков Б.Н., Мурель А.В., Романов Ю.А. // ФТП. 1991. Т. 25. В. 6. С. 1047--1052
  7. Anand S., Carlsson N., Pistol M.-E., Samuelson L., Seifert W. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. N 20. P. 3016--3018.
  8. Соболев М.М., Ковш А.Р., Устинов В.М., Жуков А.Е., Максимов М.В., Леденцов Н.Н. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 10. С. 1249--1256
  9. Yu. P.Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors: physics and materials properties. 4th ed. Springer, 2010. 775 p
  10. Cockins L., Miyahara Y., Bennett S.D., Clerk A.A., Studenikin S., Poole P., Sachrajda A., Grutter P. // PNAS. 2010. V. 107. N 21. P. 9496--9501.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme