Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотовольтаические характеристики светодиодов на основе AlGaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063785018040259 
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия 
Email: asokol@list.ru
Поступила в редакцию: 13 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.
Исследованы фотовольтаические характеристики более 20 типов светодиодов, излучающих в диапазоне 830-970 nm. Показано, что полупроводниковые структуры AlxGa1-xAs, применяемые для изготовления таких светодиодов, могут использоваться также для изготовления фотовольтаических преобразователей монохроматического излучения с достаточно высоким КПД.
- Клайн Б.Р. Оптическая система электропитания для электронных схем с использованием одного фотогальванического элемента. Патент РФ 2431915. Публ. 20.10.2011
- Задворнов С.А. Исследование методов построения гибридных волоконно-оптических измерительных систем. Автореф. канд. дис. М.: Ин-т радиотехники и электроники РАН (Фрязинский филиал), 2009. 22 с
- Соколовский А.А. Микрооптические элементы и устройства для волоконно-оптических измерительных систем. Автореф. докт. дис. М.: Ин-т радиотехники и электроники (Фрязинский филиал), 2009. 39 с
- Dumke M., Heiserich G., Franke S., Schulz L., Overmeyer L. // J. Syst. Cybernet. Inform. 2010. V. 8. N 1. P. 55--60
- Андреев В.М. // Соврем. электроника. 2014. N 6. С. 20--25
- Algora C., Diaz V. // IEEE Trans. Electron Dev. 1998. V. 45. N 9. P. 2047--2054
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
