Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 10 » Статья стр. 61
<<<>>>
Низкоэнергетическое бездефектное сухое травление барьерного слоя HEMT AlGaN/AlN/GaN
DOI: 10.21883/PJTF.2018.10.46100.17227
Переводная версия: 10.1134/S1063785018050218
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), № 18-07-01426 A
Михайлович С.В. 1, Павлов А.Ю. 1, Томош К.Н. 1, Федоров Ю.В. 1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: p.alex.ur@yandex.ru
Поступила в редакцию: 29 января 2018 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.
PDF версия
Предложен метод бездефектного сухого травления барьерного слоя AlGaN, заключающийся в циклическом повторении операций плазмохимического окисления AlGaN и удалении образованного оксидного слоя реактивным ионным травлением в индуктивно-связанной плазме BCl3. Впервые с использованием предложенной технологии травления изготовлены HEMT AlGaN/AlN/GaN с заглубленным затвором. Показано, что значения токов полученных транзисторов не зависят от количества циклов травления, при этом положение рабочей точки по затвору смещается в сторону положительных напряжений (вплоть до транзисторов, работающих в режиме обогащения).
  1. Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Бугаев А.С., Матвеенко О.С., Галиев Р.Р., Зуев А.В., Павлов А.Ю., Михайлович С.В. // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. В. 2. С. 135--143
  2. Галиев Р.Р., Гнатюк Д.Л., Зуев А.В., Крапухин Д.В., Майтама М.В., Матвеенко О.С., Михайлович С.В., Федоров Ю.В., Щербакова М.Ю. // Нано- и микросистемная техника. 2015. В. 2 (175), С. 21--32
  3. Shinohara K., Regan D.C., Tang Y., Corrion A.L., Brown D.F., Wong J.C., Robinson J.F., Fung H.H., Schmitz A., Oh T.C., Kim S.J., Chen P.S., Nagele R.G., Margomenos A.D., Micovic M. // IEEE Trans. Electron Dev. 2013. V. 60. N 10. P. 2982--2996
  4. Brown D.F., Shinohara K., Williams A., Milosavljevic I., Grabar R., Hashimoto P., Willadsen P.J., Schmitz A., Corrion A.L., Kim S., Regan D., Butler C.M., Burnham S.D., Micovic M. // IEEE Trans. Electron Dev. 2011. V. 58. N 4. P. 1063--1067
  5. Журавлев К.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Парнес Я.М. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 14. С. 72--79
  6. Burnham Sh.D., Boutros K., Hashimoto P., Butler C., Wong D.W.S., Hu M., Micovic M. // Phys. Status Solidi C. 2010. V. 7. N 7--8. P. 2010--2012
  7. Hahn H., Benkhelifa F., Ambacher O., Alam A., Heuken M., Yacoub H., Noculak A., Kalisch H., Vescan A. // Jpn. J. Appl. Phys. 2013. V. 52. N 9. P. 090204
  8. Jia Sh., Cai Y., Wang D., Zhang B., Lau K.M., Chen K.J. // IEEE Trans. Electron Dev. 2006. V. 53. N 6. P. 1474--1477
  9. Ерофеев Е.В., Федин И.В., Федина В.В., Степаненко М.В., Юрьева А.В. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 9. С. 1278--1281
  10. Chakroun A., Jaouad A., Bouchilaoun M., Arenas O., Soltani A., Maher H. // Phys. Status Solidi A. 2017. V. 214. N 8. P. 1600836
  11. Томош К.Н., Павлов А.Ю., Павлов В.Ю., Хабибуллин Р.А., Арутюнян С.С., Мальцев П.П. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 10. С. 1434--1438
  12. Андрианов Н.А., Кобелев А.А., Смирнов А.С., Барсуков Ю.В., Жуков Ю.М. // ЖТФ. 2017. Т. 87. В. 3. С. 413--418
  13. Павлов А.Ю., Павлов В.Ю., Слаповский Д.Н., Арутюнян С.С., Федоров Ю.В., Мальцев П.П. // Микроэлектроника. 2017. Т. 46. В. 5, С. 340--347
  14. Павлов А.Ю., Павлов В.Ю., Слаповский Д.Н. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 22. С. 96--103

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme