Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 11 » Статья стр. 21
<<<>>>
Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs
DOI: 10.21883/PJTF.2018.11.46193.17254
Переводная версия: 10.1134/S106378501806007X
Министерство образования и науки Российской Федераци, Государственное задание, 11.2247.2017
Прудаев И.А. 1, Верхолетов М.Г. 2, Королёва А.Д.3, Толбанов О.П. 1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
3ПАО "Радиофизика", Москва, Россия
Email: funcelab@gmail.com, top@mail.tsu.ru
Поступила в редакцию: 15 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования процессов переноса носителей заряда и перезарядки глубоких уровней в полупроводниковых структурах для лавинных S-диодов. Исследованы арсенид-галлиевые структуры n+-pi-nu-n-типа с диффузионным распределением глубокого акцептора железа. В ходе решения уравнений непрерывности и Пуассона с использованием коммерческого пакета проектирования обнаружено влияние инжекции электронов на напряжение лавинного пробоя, а также эффект расширения области пространственного заряда за счет захвата лавинных дырок на отрицательные ионы железа в pi-области. Сравнение результатов численного расчета с экспериментальными данными показывает, что S-образная вольт-амперная характеристика диффузионных лавинных S-диодов необъяснима с позиций ранее предложенного механизма захвата лавинных дырок на глубокие уровни железа.
  1. Хлудков С.С., Толбанов О.П., Вилисова М.Д., Прудаев И.А. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами. Томск: Изд. дом Томск. гос. ун-та, 2016. 258 с
  2. Хлудков С.С. // Изв. вузов. Физика. 1983. Т. 26. N 10. С. 67--78
  3. Прудаев И.А., Хлудков С.С., Скакунов М.С., Толбанов О.П. // ПТЭ. 2010. N 4. C. 68--73
  4. Yamashita S., Hosokawa Y., Anbe T., Nakano T. // Proc. IEEE. 1970. V. 58. N 8. P. 1279--1280
  5. Кузьмин В.А., Кюрегян А.С. // Радиотехника и электроника. 1975. Т. 20. N 7. С. 1449--1456
  6. Хлудков С.С., Толбанов О.П., Корецкий А.В. // Изв. вузов. Физика. 1986. Т. 29. N 4. С. 54--58
  7. Алфёров Ж.И., Грехов И.В., Ефанов В.М., Кардо-Сысоев А.Ф., Корольков В.И., Степанова М.Н. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. В. 18. С. 1089--1093
  8. Vainshtein S.N., Yuferev V.S., Kostamovaara J.T. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. N 2. P. 024502 (1--9)
  9. Прудаев И.А., Хлудков С.С. // Изв. вузов. Физика. 2009. Т. 52. N 2. С. 48--53
  10. Прудаев И.А., Хлудков С.С. // Изв. вузов. Физика. 2008. Т. 51. N 11. С. 39--41
  11. Брылевский В.И., Рожков A.В., Смирнова И.А., Родин П.Б., Грехов И.В. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 7. С. 1--7
  12. Hu L., Su J., Ding Z., Hao Q., Yuan X. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. N 9. P. 094503 (1--8)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme