Численное моделирование токовой зависимости спектров излучения мощных импульсных лазеров, выполненных на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения
Рожков А.В.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: rozh@hv.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 16 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
Для описания наблюдаемой токовой зависимости спектров излучения мощных импульсных лазеров на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения предложена новая физическая модель, учитывающая наличие на интерфейсной границе волноводных и активной областей изотипных n-n-гетеропереходов. Выполнено численное моделирование процессов лазерной генерации. Полученная аналитическая токовая зависимость двумерной концентрации дырок в квантовой яме позволила впервые оценить токовую зависимость коротковолновой границы спектра лазерного излучения. Достигнуто хорошее согласие расчетных и экспериментальных характеристик.
- Слипченко С.О., Винокуров Д.А., Пихтин Н.А., Соколова З.Н., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Алфёров Ж.И. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 12. С. 1477--1486
- Слипченко С.О., Соколова З.Н., Пихтин Н.А., Борщев К.С., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 8. С. 1017--1023
- Воробьев Л.Е., Зерова В.Л., Борщёв К.С., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Belenky G. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 6. С. 753--761
- Веселов Д.А., Шашкин И.С., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 6. С. 10--16
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. C. 135--136
- Соколова З.Н., Бахвалов К.В., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Тарасов И.С., Асрян Л.В. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 5. С. 679--682
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
