Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 12 » Статья стр. 45
<<<>>>
Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке
DOI: 10.21883/PJTF.2018.12.46290.17260
Переводная версия: 10.1134/S1063785018060172
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Орлова Т.А.1, Родин С.Н.1, Щеглов М.П.1, Кибалов Д.С.2, Смирнов В.К.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Квантовый кремний", Москва, Россия
Email: bes.triat@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
PDF версия
Предложен новый метод синтеза GaN в полуполярном направлении на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V-образная наноструктура с суб-100 nm размером элементов. Показано, что применение наноструктурированной подложки в методе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений позволяет формировать слой, направление роста которого отклонено от полярного направления на угол около 62o при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания GaN(1011) omegatheta~ 60 arcmin.
  1. Wang T. // Semicond. Sci. Technol. 2016. V. 31. P. 093003
  2. Akasaka T., Kobayashi Y., Makimoto T. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 121919
  3. Liu J.-M., Zhang J., Lin W.-Y., Ye M.-X., Feng X.-X., Zhang D.-Y., Ding S., Xu C.-K., Liu B.-L. // Chin. Phys. B. 2015. V. 24. P. 057801
  4. Dadgar A. // Phys. Status Solidi B. 2015. V. 252. P. 1063--1068
  5. Ravash R., Blaesing J., Dadgar A., Krost A. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. P. 142102
  6. Hikosaka T., Narita T., Honda Y., Yamaguchi M., Sawakia N. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 4717--4719
  7. Abe Y., Komiyama J., Isshiki T., Suzuki S., Yoshida A., Ohishi H., Nakanishi H. // Mater. Sci. Forum. 2009. V. 602-603. P. 1281--1284
  8. Dinh D.V., Presa S., Akhter M., Maaskant P.P., Corbett B., Parbrook P.J. // Semicond. Sci. Technol. 2015. V. 30. P. 125007
  9. Bessolov V., Kalmykov A., Konenkova E., Kukushkin S., Myasoedov A., Poletaev N., Rodin S. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 457. P. 202--206
  10. Honda Y., Kawaguchi Y., Ohtake Y., Tanaka S., Yamaguchi M., Sawaki N. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 230. P. 346--350
  11. Chen G.T., Chang S.P., Chui J.I., Chang M.N. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 241904
  12. Chen L., Payne J., Strate J., Li C., Zhang J.-M., Yu W.-J., Di Z.-F., Wang X. // Chin. Phys. B. 2015. V. 24. P. 118102
  13. Huang C.C., Chang S.J., Kuo C.H., Wu C.H., Ko C.H., Wann C.H., Cheng Y.C., Lind W.J. // J. Electrochem. Soc. 2011. V. 158. P. H626--H629
  14. Smirnov V.K., Kibalov D.S., Orlov O.M., Graboshnikov V.V. // Nanotechnology. 2003. V. 14. P. 709--715
  15. Smirnov V.K., Kibalov D.S. // Proc. of the XXI Int. Conf. "Ion-surface interactions". Yaroslavl, Russia, 2013. V. 1. P. 62--66
  16. Рожавская М.М., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Трошков С.И., Брунков П.Н., Цацульников А.Ф. // ФТП. 2013. T. 47. В. 3. C. 414--419
  17. Lee S.C., Sun X.Y., Hersee S.D., Brueck S.R.J. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 279. P. 289--292

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme