Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 13 » Статья стр. 51
<<<>>>
Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
DOI: 10.21883/PJTF.2018.13.46327.17310
Переводная версия: 10.1134/S1063785018070106
Лундин В.В.1, Сахаров А.В.1, Заварин Е.Е.1, Закгейм Д.А.1, Николаев А.Е.1, Брунков П.Н.1, Яговкина М.А.1, Цацульников А.Ф.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.
PDF версия
Структуры AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN с двумерным электронным газом выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на сапфировых подложках. Подавление паразитной проводимости буферных слоев GaN обеспечивалось или преднамеренным повышением плотности краевых дислокаций, или легированием железом (GaN : Fe). Показано, что применение буферных слоев GaN : Fe, имеющих более высокое кристаллическое совершенство и более планарную поверхность, приводит к увеличению подвижности электронов в двумерном канале для носителей в 1.2-1.5 раза.
  1. Weimann N.G., Eastman L.F., Doppalapudi Dh., Ng H.M., Moustakas T.D. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. N 7. P. 3656--3659
  2. Hubbard S.M., Zhao G., Pavlidis D., Sutton W., Cho E. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 284. N 3-4. P. 297--305
  3. Xu F.J., Xu J., Shen B., Miao Z.L., Huang S., Lu L., Yang Z.J., Qin Z.X., Zhang G.Y. // Thin Solid Films. 2008. V. 517. N 2. P. 588--591
  4. Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Усов С.О., Заварин Е.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Черкашин Н.А., Цацульников А.Ф. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 1. С. 55--60
  5. Kotani J., Yamada A., Ishiguro T., Tomabechi S., Nakamura N. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. N 15. P. 152109
  6. Лундин В.В., Заварин Е.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Сахаров А.В., Синицын М.А., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Цацульников А.Ф. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. B. 10. C. 85--91
  7. Heikman S., Keller S., DenBaars S.P., Mishra U.K. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. N 3. P. 439--441
  8. Lei C., Haibo Y., Lijuan J., Quan W., Chun F., Hongling X., Cuimei W., Jiamin G., Bo Zh., Baiquan L., Xiaoliang W., Zhanguo W. // J. Semicond. 2015. V. 36. N 10. P. 103002
  9. Rudzinski M., Desmaris V., van Hal P.A., Weyher J.L., Hageman P.R., Dynefors K., Rodle T.C., Jos H.F.F., Zirath H., Larsen P.K. // Phys. Status Solidi C. 2006. V. 3. N 6. P. 2231--2236
  10. Bougrioua Z., Azize M., Jimenez A., Brana A.-F., Lorenzini P., Beaumont B., Munoz E., Gibart P. // Phys. Status Solidi C. 2005. V. 2. N 7. P. 2424--2428
  11. Yue Y., Hu Z., Guo J., Sensale-Rodriguez B., Li G., Wang R., Faria F., Fang T., Song B., Gao X., Guo Sh., Kosel T., Snider G., Fay P., Jena D., Xing H. // IEEE Electron Dev. Lett. 2012. V. 33. N 7. P. 988--990
  12. Усов С.О., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., Яговкина М.А., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Устинов В.М. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2016. N 4 (243). С. 47--57

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme