Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование тонкого люминесцирующего слоя в кристаллах LiF под действием излучения тлеющего разряда
Переводная версия: 10.1134/S1063785018080138 
Федеральное агентство научных организаций (ФАНО), Программа фундаментальных научных исследований государственных академий наук на 2013-2020 годы, раздел II.10.1., № 0307-2016-0004
Минобрнауки РФ, Госзадание на проведение научных исследований (базовая часть), № 3.8401-2017/8.9
Тютрин А.А.
1, Глазунов Д.С.
1, Ракевич А.Л.
1, Мартынович Е.Ф.
1,2
1Иркутский филиал Института лазерной физики СО РАН, Иркутск, Россия 
2Иркутский государственный университет, Иркутск, Россия
2Иркутский государственный университет, Иркутск, Россия
Email: filial@ilph.irk.ru
Поступила в редакцию: 6 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.
Средствами конфокальной сканирующей люминесцентной микроскопии с временным разрешением методом времякоррелированного счета одиночных фотонов исследовано образование тонких слоев люминесцирующих дефектов на гранях плоских образцов кристаллов фторида лития, размещенных в положительном столбе и темном фарадеевом пространстве тлеющего газового разряда. По характеристикам спектров и кинетики люминесценции, возникшей после облучения, установлено, что в поверхностных слоях кристаллов образуются агрегатные центры окраски. Рассмотрена роль электронов, ионов и фотонов газового разряда в механизме дефектообразования. Показано, что дефекты образуются под действием фотонов вакуумного ультрафиолета. Методом термостимулированной люминесценции измерено распределение интенсивности вакуумного ультрафиолетового излучения в разрядном промежутке. Основным источником этого излучения являются области анодного и катодного падения напряжения в тлеющем разряде.
- Di Lazzaro P., Bollanti S., Flora F., Mezi L., Murra D., Torre A., Bonfigli F., Montereali R.M., Vincenti M.A. // JINST. 2016. V. 11. P. C07002
- Montereali R.M., Bonfigli F., Piccinini M., Nichelatti E., Vincenti M.A. // J. Lumin. 2015. V. 170. Pt 3. P. 761--769
- Barkusky F., Peth C., Mann K. // Rev. Sci. Instrum. 2005. V. 76. N 10. P. 105102
- Милютина Е.В., Петровский А.Ф., Ракевич А.Л., Мартынович Е.Ф. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 9. С. 64--71
- Martynovich E.F., Dresvyansky V.P., Lazareva N.L., Mikhailova S.V., Konyashchenko A.V., Kostryukov P.V., Perminov B.E., Bagayev S.N. // Advanced Photonics. OSA, 2017. P. NoW2C.6
- Drouin D., Couture A.R., Joly D., Tastet X., Aimez V., Gauvin R. // Scanning. 2007. V. 29. P. 92--101
- Зайдель А.Н., Шрейдер Е.Я. Спектроскопия вакуумного ультрафиолета. М.: Наука, 1967. 472 с
- Nakajima T. // J. Nucl. Sci. Technol. 1968. V. 5. N 7. P. 360--364
- Мартынович Е.Ф. Центры окраски в лазерных кристаллах. Иркутск: ИГУ, 2004. 227 с
- Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989. 246 с
- Автаева С.В., Оторбаев Д.К., Скорняков А.В. // Вестн. КРСУ. 2002. Т. 2. N 2
- Voitovich A.P., Kalinov V.S., Stupak A.P., Novikov A.N., Runets L.P. // J. Lumin. 2015. V. 157. P. 28--34
- Стриганов А.Р., Свентицкий Н.С. Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизованных атомов. М.: Атомиздат, 1966. 893 с
- Зайдель А.Н., Прокофьев В.К., Райский С.М., Славный В.А., Шрейдер Е.Я. Таблицы спектральных линий. М.: Наука, 1977. 800 c
- Лисовский В.А., Малиновский В.В., Деревянко В.А. // Вестн. Харьков. ун-та. 2013. N 1059. В. 3(59). P. 65--74
- Lisovskiy V., Koval V., Kravchenko E., Yegorenkov V. // Bull. Am. Phys. Soc. 2012. V. 57. N 8. P. 78
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
