Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование пироэффекта в AlN-эпитаксиальных слоях
Переводная версия: 10.1134/S1063785018080199 
Гаврилов Г.А.1, Капралов А.Ф.1, Муратиков К.Л.1, Панютин Е.А.1, Сотников А.В.1, Сотникова Г.Ю.1, Шарофидинов Ш.Ш.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: eugeny.panyutin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.
Проведены экспериментальные исследования пироэлектрического эффекта в слоях AlN толщиной 6-12 mum, выращенных методом хлоридно-гидридной газофазной эпитаксии на подложках 4H-SiC. Возбуждение пироэлектрического тока осуществлялось методом динамического лазерного воздействия. Эволюция температурных полей с учетом специфики тепловой гетерогенности AlN/SiC-системы контролировалась путем непосредственного измерения динамики ее поверхностной температуры, что в совокупности с данными изменения пиротока позволило определить значение пирокоэффициента для AlN/SiC-структуры (p~3.0 muС/(m2·K) ). Рассчитаны факторы качества данной структуры, используемые для сравнения пироэлектрических материалов применительно к задаче построения на их основе детекторов ИК-излучения.
- Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Яговкина М.А., Устинов В.М., Черкашин Н.А. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 9. С. 1263-1269
- Нечаев Д.В., Ситникова А.А., Брунков П.Н., Иванов С.В., Жмерик В.Н. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 9. С. 67-74
- Кузнецова Н.В., Нечаев Д.В., Шмидт Н.М., Карпов С.Ю., Ржеуцкий Н.В., Земляков В.Е., Кайбышев В.Х., Казанцев Д.Ю., Трошков С.И., Егоркин В.И., Бер Б.Я., Луценко Е.В., Иванов С.В., Жмерик В.Н. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 12. С. 57-63
- Bukhovski A.D., Kaminski V.V., Shur M.S., Chen Q.C., Khan M.A. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. N 21. P. 3254-3256
- Шретер Ю.Г., Ребане Ю.Т., Зыков В.А., Сидоров В.Г. // Широкозонные полупроводники. СПб.: Наука, 2001. 124 с
- Шалдин Ю.В., Matyjasik S. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 9. С. 1159-1165
- Fuflyigin V., Salley E., Osinsky A., Norris P. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. N 19. P. 3075-3077
- Кукушкин С.А., Осипов А.В., Сергеева О.Н., Киселев Д.А., Богомолов А.А., Солнышкин А.В., Каптелов Е.Ю., Сенкевич С.В., Пронин И.П. // ФТТ. 2016. Т. 58. В. 5. С. 937-940
- Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Кукушкин С.А., Николаев В.И., Осипов А.В., Шарофидинов Ш.Ш., Щеглов М.П. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 6. С. 1-8
- Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Муратиков К.Л., Сотникова Г.Ю. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 23. С. 77-85
- Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Муратиков К.Л., Сотникова Г.Ю. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 14. С. 104-110
- Daglish M. // Integr. Ferroelectics. 1998. V. 22. N 1-4. P. 473-488
- Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Смирнова Е.П., Сотникова Г.Ю., Сотников А.В. // ЖТФ. 2004. Т. 74. В. 9. С. 72-76
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
