Вышедшие номера
Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота
Переводная версия: 10.1134/S1063785018090298
Соболев Н.А.1, Калядин А.Е.1, Карабешкин К.В.1, Кютт Р.Н.1, Микушкин В.М.1, Шек Е.И.1, Шерстнев Е.В.1, Вдовин В.И.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 11 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

Представлены результаты исследования методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии структурных дефектов, образующихся в эпитаксиальных слоях GaAs при имплантации ионов N+ с энергией 250 keV и дозами 5·1014-5·1016 cm-2. Аморфизации имплантированного слоя не происходит при всех использованных дозах. После имплантации с дозами 5·1014 и 5·1015 cm-2 на дифракционных кривых наблюдается дополнительный пик, обусловленный формированием напряженного слоя GaAs с положительной деформацией, возникающей благодаря образованию кластеров точечных дефектов. При имплантации с дозой 5·1016 cm-2 в слое формируется плотная структура протяженных дефектов, что сопровождается релаксацией макронапряжений до исходного состояния.