Эффект увлечения в нанокомпозитной пленке Ag/Pd: генерация двуполярных импульсов
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а, 18-32-00224
Финская академия наук, 309672
Михеев Г.М.
1, Саушин А.С.
1, Стяпшин В.М.
1, Свирко Ю.П.
21Институт механики, Удмуртский федеральный исследовательский центр, Уральское отделение РАН, Ижевск, Россия
2Институт фотоники, Университет Восточной Финляндии, Йоэнсуу, Финляндия
Email: mikheev@udman.ru, alex@udman.ru, vms@udman.ru, yuri.svirko@uef.fi
Поступила в редакцию: 12 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.
Впервые исследованы особенности генерации продольного фототока в нанокомпозитных пленках Ag/Pd при наклонном падении импульсного лазерного излучения наносекундной длительности в области длин волн 1350-4000 nm. Пленки толщиной 20 mum, состоящие из нанокристаллитов твердого раствора Ag-Pd и оксида палладия PdO, получены по толстопленочной технологии. Исследовано влияние длины волны на импульсы фототока при p- и s-поляризациях лазерной накачки. Показано, что импульс фототока при s-поляризованной накачке в диапазоне длин волн 1350-4000 nm является однополярным, а при p-поляризации в зависимости от длины волны он может быть однополярным и двуполярным. Полученные результаты объясняются одновременной генерацией фототока за счет эффекта увлечения и поверхностного фотогальванического эффекта.
- Данишевский А.М., Кастальский А.А., Рывкин С.М., Ярошецкий И.Д. // ЖЭТФ. 1970. Т. 58. В. 2. С. 544--550
- Gurevich V.L., Laiho R. // ФТТ. 2000. Т. 42. В. 10. С. 1762--1767
- Берегулин Е.В., Валов П.М., Рывкин С.М., Ярошецкий И.Д., Лискер И.С., Пукшанский А.Л. // Письма в ЖЭТФ. 1977. Т. 25. В. 2. С. 113--116
- Vengurlekar A.S., Ishihara T. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. N 9. P. 091118
- Karch J., Olbrich P., Schmalzbauer M., Zoth C., Brinsteiner C., Fehrenbacher M., Wurstbauer U., Glazov M.M., Tarasenko S.A., Ivchenko E.L., Weiss D., Eroms J., Yakimova R., Lara-Avila S., Kubatkin S., Ganichev S.D. // Phys. Rev. Lett. 2010. V. 105. N 22. P. 227402
- Obraztsov P.A., Mikheev G.M., Garnov S.V., Obraztsov A.N., Svirko Yu.P. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. N 9. P. 091903
- Mikheev G.M., Nasibulin A.G., Zonov R.G., Kaskela A., Kauppinen E.I. // Nano Lett. 2012. V. 12. N 1. P. 77--83
- Noginova N., Rono V., Bezares F.J., Caldwell J.D. // New J. Phys. 2013. V. 15. N 11. P. 113061
- Durach M., Noginova N. // Phys. Rev. B. 2016. V. 93. N 16. P. 161406(R)
- Akbari M., Onoda M., Ishihara T. // Opt. Express. 2015. V. 23. N 2. P. 823--832
- Михеев Г.М., Стяпшин В.М. // Приборы и техника эксперимента. 2012. N 1. С. 93--97
- Akbari M., Ishihara T. // Opt. Express. 2017. V. 25. N 3. P. 2143--2152
- Glazov M.M., Ganichev S.D. // Phys. Rep. 2014. V. 535. N 3. P. 101--138
- Михеев Г.М., Саушин А.С., Зонов Р.Г., Стяпшин В.М. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 10. С. 37--45
- Михеев Г.М., Саушин А.С., Ванюков В.В. // Квантовая электроника. 2015. Т. 45. N 5. С. 635--639
- Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Александров В.А. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 14. С. 79--87
- Михеев Г.М., Саушин А.С., Гончаров О.Ю., Дорофеев Г.А., Гильмутдинов Ф.З., Зонов Р.Г. // ФТТ. 2014. Т. 56. В. 11. С. 2212--2218
- Михеев Г.М., Стяпшин В.М., Образцов П.А., Хестанова Е.А., Гарнов С.В. // Квантовая электроника. 2010. T. 40. N 5. C. 425--430
- Альперович В.Л., Белиничер В.И., Новиков В.Н., Терехов А.С. // ЖЭТФ. 1981. Т. 80. В. 6. С. 2298--2311
- McBride J.R., Hass K.C., Weber W.H. // Phys. Rev. B. 1991. V. 44. N 10. P. 5016--5028
- Nilsson P.O., Shivaraman M.S. // J. Phys. C. 1979. V. 12. N 6. P. 1423--1427
- Ahuja R., Auluck S., Johansson B., Khan M.A. // Phys Rev. B. 1994. V. 50. N 4. P. 2128--2132
- Sadovnikov S.I., Gusev A.I. // J. Alloys Compd. 2013. V. 573. P. 65--75
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.