Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 19 » Статья стр. 16
<<<>>>
Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки
DOI: 10.21883/PJTF.2018.19.46678.17413
Переводная версия: 10.1134/S1063785018100103
Малеев Н.А.1,2, Бобров М.А.1, Кузьменков А.Г.1,3, Васильев А.П.1,3, Кулагина М.М.1, Малеев С.Н., Блохин С.А.1, Неведомский В.Н.1, Устинов В.М.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: maleev@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
PDF версия
Качество гетерограниц и оптимальные условия эпитаксиального выращивания являются критически важными параметрами для получения низких токов утечки гетеробарьерных варакторов (ГБВ) в системе материалов InGaAs/InAlAs/AlAs. Выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии трехбарьерные структуры ГБВ с примыкающими к барьерному слою InAlAs/AlAs/InAlAs дополнительными рассогласованными слоями InGaAs, испытывающими напряжение сжатия, при оптимальных режимах эпитаксии демонстрируют рекордно низкие уровни плотности тока утечки (не более 0.06 A/cm2 при напряжении 5 V и температуре 85oC) при относительно тонких AlAs-вставках (толщиной 2 nm).
  1. Hesler J.L., Crowe T. High-power solid-state terahertz sources // SPIE Newsroom. 2015. DOI: 10.1117/2.1201506.005859
  2. Liang G., Liu T., Wang Q.J. // IEEE J. Select. Top. Quant. Electron. 2017. V. 23. P. 1200118
  3. Zamora P.A., Mei G., Leong K.M.K.H., Lange M., Lee J., Yoshida W., Gorospe B.S., Padilla J.G., Deal W.R. // IEEE Microwave Wireless Compon. Lett. 2015. V. 25. N 9. P. 591--593
  4. Maestrini A., Ward J.S., Gill J.J., Lee C., Thomas B., Lin R.H., Chattopadhyay G., Mehdi I. // IEEE Trans. Microwave Theory Technol. 2010. V. 58. N 7. P. 1925--1932
  5. Kollberg E., Rydberg A. // Electron. Lett. 1989. V. 25. N 25. P. 1696--1698
  6. Stake J., Malko A., Bryllert T., Vukusic J. // Proc. of the IEEE. 2017. V. 105. N 6. P. 1008--1019
  7. Fu Y., Stake J., Dillner L., Willander M., Kollberg E.L. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. N 11. P. 5568--5572
  8. Malko A., Bryllert T., Vukusic J., Stake J. High efficiency and broad-band operation of monolithically integrated W-band HBV frequency tripler // 24th Int. Conf. on indium phosphide and related materials. Santa Barbara, 2012. P. 92--94
  9. Малеев Н.А., Беляков В.А., Васильев А.П., Бобров М.А., Блохин С.А., Кулагина М.М., Кузьменков А.Г., Неведомский В.Н., Гусева Ю.А., Малеев С.Н., Ладенков И.В., Фефелова Е.Л., Фефелов А.Г., Устинов В.М. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 11. С. 1484--1488
  10. Dastjerdi M.H.T., Sanz-Velasco A., Vukusic J., Kollberg E.L., Sadeghi M., Stake J. // IEEE Electron Device Lett. 2011. V. 32. N 2. P. 140--142

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme