Вышедшие номера
Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки
Переводная версия: 10.1134/S1063785018100103
Малеев Н.А.1,2, Бобров М.А.1, Кузьменков А.Г.1,3, Васильев А.П.1,3, Кулагина М.М.1, Малеев С.Н., Блохин С.А.1, Неведомский В.Н.1, Устинов В.М.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: maleev@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Качество гетерограниц и оптимальные условия эпитаксиального выращивания являются критически важными параметрами для получения низких токов утечки гетеробарьерных варакторов (ГБВ) в системе материалов InGaAs/InAlAs/AlAs. Выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии трехбарьерные структуры ГБВ с примыкающими к барьерному слою InAlAs/AlAs/InAlAs дополнительными рассогласованными слоями InGaAs, испытывающими напряжение сжатия, при оптимальных режимах эпитаксии демонстрируют рекордно низкие уровни плотности тока утечки (не более 0.06 A/cm2 при напряжении 5 V и температуре 85oC) при относительно тонких AlAs-вставках (толщиной 2 nm).