Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 19 » Статья стр. 40
<<<>>>
Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния
DOI: 10.21883/PJTF.2018.19.46681.17362
Переводная версия: 10.1134/S1063785018100139
Саченко А.В.1, Костылев В.П.1, Бобыль А.В.2, Власюк В.Н.1, Соколовский И.О.1, Коноплев Г.А.3, Теруков Е.И.2,3, Шварц М.З.2, Евстигнеев М.А.4
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Department of Physics and Physical Oceanography, Memorial University of Newfoundland, St. John's, Canada
Email: sach@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 3 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
PDF версия
Развита теория, описывающая экспериментальные зависимости внешнего квантового выхода EQE(lambda) от длин пробега фотонов для текстурированных солнечных элементов на основе Si. Рассчитаны плотности тока короткого замыкания в зависимости от толщины базы d высокоэффективных солнечных элементов c КПД преобразования eta≥ 25%. Процедура позволяет провести их полную оптимизацию, в частности найти оптимальные значения толщины базы dopt.
  1. Green M.A. // Third generation photovoltaics. Advanced solar energy conversion. Berlin-Heidelberg: Springer-Verlag, 2006. 160 p
  2. Tiedje T., Yablonovitch E., Cody G.D., Brooks B.J. // IEEE Trans. Electron Dev. 1984. V. 31. N 5. P. 711-716
  3. Janо A., Tohoda S., Matsuyama K., Nakamura Y., Nishiwaki T., Fujita K., Taguchi M., Maruyama E. // Proc. of the 28th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition. Paris, France, 2013. P. 1846
  4. Green M.A., Hishikawa Y., Warta W., Dunlop E.D., Levi D.H., Hohl-Ebinger J., Ho-Baillie A.W.Y. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2017. V. 25. P. 668-676
  5. Richter A., Benick J., Feldmann F., Fell A., Hermle M., Glunz S.W. // Solar Energy Mater. Solar Cells. 2017. V. 173. P. 96-105
  6. Zhao J., Wang A., Green M.A. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73, N 14. P. 1991-1993
  7. Trupke T., Zhao J., Wang A., Corkish R., Green M.A. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 82. N. 18. P. 2996-2998
  8. Green M.A. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2009. V. 17. P. 183-189
  9. Masuko K., Shigematsu M., Hashiguchi T., Fujishima D., Kai M., Yoshimura N., Yamaguchi T., Ichihashi Y., Mishima T., Matsubara N., Yamanishi T., Takahama T., Taguchi M., Maruyama E., Okamoto S. // IEEE J. Photovolt 2014. V. 4. N 6. P. 1433-1435
  10. Centre of excellence for advanced silicon photovoltaics and photonics. Annual Report. Sidney: The Australian Reseach Council, 2005
  11. Gogolin R., Ferre R., Turcu M., Harder N.-P. // Solar Energy Mater. Solar Cells. 2012. V. 106. P. 47-50
  12. Sachenko A.V., Kryuchenko Yu.V., Kostylyov V.P., Bobyl A.V., Terukov E.I., Abolmasov S.N., Abramov A.S., Andronikov D.A., Shvarts M.Z., Sokolovskyi I.O., Evstigneev M. // J. Appl. Phys. 2016. V. 119. N 22. P. 225702.
  13. Sachenko A.V., Kostylyov V.P., Vlasiuk V.M., Sokolovskyi I.O., Evstigneev M. // Proc. of the 32nd Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition. Munich, Germany, 2016. P. 141
  14. Richter A., Glunz S.W., Werner F., Schmidt J., Cuevas A. // Phys. Rev. B. 2012. V. 86. N 16. P. 165202
  15. Mackel H., Varner K. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2013. V. 21. P. 850-866
  16. Fell A. // IEEE Trans. Electron Dev. 2013. V. 60. N 2. P. 733-738.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme