Вышедшие номера
Образование кластеров спайков в CMOS-матрицах, облученных протонами и нейтронами
Переводная версия: 10.1134/S106378501811010X
Иванов Н.А.1, Лобанов О.В.1, Пашук В.В.1, Прыгунов М.О.2, Сизова К.Г.3
1Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2ООО "О2 Световые Системы", Санкт-Петербург, Россия
3ООО "НПЦ "Гранат", Санкт-Петербург, Россия
Email: ksizova@npcgranat.ru
Поступила в редакцию: 9 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Исследованы распределения пикселей с большой величиной темнового тока в CMOS-матрицах, облученных протонами с энергией 1000 MeV и нейтронами сплошного спектра, моделирующего энергетический спектр атмосферных нейтронов. Получены данные об образовании кластеров спайков в облученных матрицах и влиянии времени экспозиции на параметры кластеров.