Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование и изучение оптических свойств светодиодов на основе микропирамид GaN с полупрозрачным контактом Ni/Au/графен
Переводная версия: 10.1134/S1063785018120179 
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Centre for Nanoscience and Nanotechnology (C2N Orsay), CNRS UMR, Universite Paris Sud, Universite Paris Saclay, Orsay, France
5Ecole polytechnique federale de Lausanne, Lausanne, Switzerland
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Centre for Nanoscience and Nanotechnology (C2N Orsay), CNRS UMR, Universite Paris Sud, Universite Paris Saclay, Orsay, France
5Ecole polytechnique federale de Lausanne, Lausanne, Switzerland
Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
Представлены результаты исследований технологических режимов формирования светодиодов на основе микропирамид InGaN/GaN в геометрии ядро-оболочка, использующих полупрозрачный контакт Ni/Au/графен. Структуры сформированы методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Отработка режимов нанесения графена большой площади, полученного методом химического осаждения из газовой фазы, позволила использовать его в качестве контакта для токовой инжекции. Сформированные светодиоды демонстрируют электролюминесценцию на длине волны излучения 520-540 nm. Данные источники излучения представляют интерес для биомедицинских приложений, в частности для оптогенетики.
- Guan N., Dai X., Babichev A.V., Julien F.H., Tchernycheva M. // Chem. Sci. 2017. V. 8. P. 7904--7911
- Koester R., Hwang J.-S., Salomon D., Chen X., Bougerol C., Barnes J.-P., Dang D.L.S., Rigutti L., Bugallo A.L., Jacopin G., Tchernycheva M., Durand C., Eymery J. // Nano Lett. 2011. V. 11. P. 4839--4845
- Bi Z., Gustafsson A., Lenrick F., Lindgren D., Hultin O., Wallenberg L.R., Ohlsson B.J., Monemar B., Samuelson L. // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. P. 025102
- Tchernycheva M., Lavenus P., Zhang H., Babichev A.V., Jacopin G., Shahmohammadi M., Julien F.H., Ciechonski R., Vescovi G., Kryliouk O. // Nano Lett. 2014. V. 14. P. 2456--2465
- Dai X., Messanvi A., Zhang H., Durand C., Eymery J., Bougerol C., Julien F.H., Tchernycheva M. // Nano Lett. 2015. V. 15. P. 6958--6964
- Kim K.S., Zhao Y., Jang H., Lee S.Y., Kim J.M., Kim K.S., Ahn J.-H., Kim P., Choi J.-Y., Hong B.H. // Nature. 2009. V. 457. P. 706--710
- Wang C., Chien J.-C., Takei K., Takahashi T., Nah J., Niknejad A.M., Javey A. // Nano Lett. 2012. V. 12. P. 1527--1533
- Hu L., Kim H.S., Lee J.-Y., Peumans P., Cui Y. // ACS Nano. 2010. V. 4. P. 2955--2963
- Lee M.-S., Lee K., Kim S.-Y., Lee H., Park J., Choi K.-H., Kim H.-K., Kim D.-G., Lee D.-Y., Nam S.W., Park J.-U. // Nano Lett. 2013. V. 13. P. 2814--2821
- Xu X., Zhang Z., Dong J., Yi D., Niu J., Wu M., Lin L., Yin R., Li M., Zhou J., Wang S., Su J., Duan X., Gao P., Jiang Y., Wu X., Peng H., Ruoff R.S., Liu Z., Yu D., Wang E., Ding F., Liu K. // Sci. Bull. 2017. V. 62. P. 1074--1080
- Babichev A.V., Rykov S.A., Tchernycheva M., Smirnov A.N., Davydov V.Yu., Kumzerov Y.A., Butko V.Y. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2015. V. 8. P. 240--246
- Stankevivc T., Mickevivcius S., Schou Nielsen M., Kryliouk O., Ciechonski R., Vescovi G., Bi Z., Mikkelsen A., Samuelson L., Gundlach C., Feidenhans'l R. // J. Appl. Cryst. 2015. V. 48. P. 344--349
- Дубровский В.Г. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 23. С. 49--53
- Babichev A.V., Gasumyants V.E., Butko V.Y. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. P. 076101
- Babichev A.V., Zhang H., Lavenus P., Julien F.H., Egorov A.Y., Lin Y.T., Tu L.W., Tchernycheva M. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103. P. 201103
- Babichev A.V., Gasumyants V.E., Egorov A.Y., Vitusevich S., Tchernycheva M. // Nanotechnology. 2014. V. 25. P. 335707
- Chuang R.W., Zou A.Q., Lee H.P., Dong Z.J., Xiong F.F., Shih R., Bremser M., Juergensen H. // MRS Online Proc. Libr. 1998. V. 537. P. g6.42
- Bae S., Kim H., Lee Y., Xu X., Park J.S., Zheng Y., Balakrishnan J., Lei T., Kim H.R., Song Y.I., Kim Y.-J., Kim K.S., Ozyilmaz B., Ahn J.-H., Hong B.H., Iijima S. // Nature Nanotechnol. 2010. V. 5. P. 574--578
- Ganbarova S.T., Babichev A.V., Rykov S.A. // J. Phys.: Conf. Ser. 2017. V. 816. P. 012032
- Chhajed S., Xi Y., Li Y.-L., Gessmann Th., Schubert E.F. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. P. 054506
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
