Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 24 » Статья стр. 120
<<<>>>
Эффективная масса и время релаксации импульса электронов в односторонне delta-легированных PHEMT квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs с высокой электронной плотностью
DOI: 10.21883/PJTF.2018.24.47039.17501
Переводная версия: 10.1134/S1063785018120556
Сафонов Д.А.1, Виниченко А.Н.1,2, Каргин Н.И.1, Васильевский И.С.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Балтийский федеральный университет им. Иммануила Канта, Калининград, Россия
Email: safonov.dan@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 августа 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
PDF версия
По эффекту Шубникова-де Гааза определены зависимости эффективной массы электронов m*, транспортного и квантового времени релаксации импульса в псевдоморфных квантовых ямах Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As/GaAs с односторонним delta-легированием кремнием от концентрации электронов в интервале (1.1-2.6)· 1012 cm-2. Коэффициент непараболичности m* в линейном приближении оказался равен 0.133 m0/eV. Как транспортное, так и квантовое время релаксации импульса немонотонно зависит от холловской концентрации электронов nH, что связано с конкуренцией механизмов роста фермиевского импульса и увеличением вклада рассеяния на большие углы при увеличении концентрации доноров.
  1. Cao X., Zeng Y., Kong M., Pan L., Wang B., Zhu Z., Wang X., Chang Y., Chu J. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 231. N 4. P. 520--524
  2. Litwin-Staszewska E., Kobbi F., Kamal-Saadi M., Dur D., Skierbiszewski C., Sibari H., Zekentes K., Mosser V., Raymond A., Knap W., Robert J.L. // Solid-State Electron. 1994. V. 37. N 4-6. P. 665--667
  3. Ahmed S., Holland K.D., Paydavosi N., Rogers C.M.S., Alam A.U., Neophytou N., Kienle D., Vaidyanathan M. // IEEE Transact. Nanotechnol. 2012. V. 11. N 6. P. 1160--1173
  4. Пашковский А.Б. // ФТП. 1991. Т. 25. В. 12. С. 2179--2183
  5. Babinski A., Siwiec-Matuszyk J., Baranowski J.M., Li G., Jagadish C. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. N 7. P. 999--1001
  6. Dmowski L.H., Zduniak A., Litwin-Staszewska E., Contreras S., Knap W., Robert J.L. // Phys. Status Solidi B. 1996. V. 198. N 1. P. 283--288
  7. Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мальцев П.П. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 2. С. 204--213
  8. Diez E., Chen Y.P., Avesque S., Hilke M., Peled E., Shahar D., Cervero J.M., Sivco D.L., Cho A.Y. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. N 5. P. 052107
  9. Сафонов Д.А., Виниченко А.Н., Каргин Н.И., Васильевский И.С. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 2. С. 201--206
  10. Protasov D.Yu., Zhuravlev K.S. // Solid-State Electron. 2017. V. 129. P. 66--72

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme