Гавриков М.В.1, Жуков Н.Д.1, Мосияш Д.С.2, Хазанов А.А.2
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2OOO "Реф-Свет", Саратов, Россия
Email: maks.gavrikov.96@gmail.com, ndzhukov@rambler.ru, denis-mos@yandex.ru, alekhaz@yandex.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.
Исследованы свойства электронной эмиссии в субмикронных частицах полупроводников Si, GaAs, InSb, InAs и их мультизеренных структурах. Установлено влияние свойств наночастиц на авто- и вторичную эмиссию. Предложен метод измерения коэффициента вторичной эмиссии полупроводников на основе метода сканирующей электронной микроскопии. Методом вакуумного триода исследовано влияние фотовозбуждения мультизеренной структуры полупроводниковых субмикронных частиц на их вторично-эмиссионные свойства.
- Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. М.: Техносфера, 2009. 144 с
- Рыков С.А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур. СПб.: Наука, 2001. 52 с
- Жуков Н.Д., Глуховской Е.Г., Мосияш Д.С. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 7. С. 911-917
- Жуков Н.Д., Глуховской Е.Г., Мосияш Д.С. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 22. С. 1-7
- Жуков Н.Д., Мосияш Д.С., Хазанов А.А., Абаньшин Н.П. // Прикладная физика. 2015. N 3. С. 93-97
- Синев И.В., Тимошенко Д.А., Жуков Н.Д., Севостьянов В.П. // Нано- и микросистемная техника. 2018. Т. 20. N 8. С. 475-480. DOI: 10.17587/nmst.20.475-480
- Адрианов В.Е., Маслов В.Г., Баранов А.В., Федоров А.В., Артемьев М.В. // Опт. журн. 2011. Т. 78. N 11. С. 1-19
- Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.: Наука, 1977. 551 с
- Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. // Введение в физику поверхности. М.: Наука, 2006. С. 116
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.