Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/n-InAlAs (001)
Переводная версия: 10.1134/S106378501902024X 
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: m.se.aksenov@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
Изучено влияние ростовых структурных дефектов поверхности слоев InAlAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках InP (001), на температурные зависимости вольт-амперных характеристик барьеров Шоттки Au/Ti/InAlAs. Показано, что дефекты в виде ямок являются причиной возникновения областей с пониженной высотой барьера, которые при плотности ≥107 cm-2 оказывают существенное влияние на параметры барьера Шоттки при температурах ниже 200 K.
- Rhoderick E.H., Williams R.H. // Metal-semiconductor contacts. Oxford: Clarendon Press, 1988. 252 p
- Tung R.T. // Mater. Sci. Eng. R. 2001. V. 35. P. 1--138. https://doi.org/10.1016/S0927-796X(01)00037-7
- Chizh A., Malyshev S., Mikitchuk K. High-speed high-power InAlAs/InGaAs/InP Schottky photodiode // 2015 Int. Topical Meeting on microwave photonics (MWP). IEEE, 2015. P. 1--4
- Takahashi T., Kawano Y., Makiyama K., Shiba S., Sato M., Nakasha Y., Hara N. // IEEE Trans. Electron. Dev. 2017. V. 64. P. 89--95. DOI: 10.1109/TED.2016.2624899
- Omar S., Sudarshan T., Rana T., Song H., Chandrashekhar M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 295102. DOI: 10.1088/0022-3727/47/29/295102
- Tung R.T. // Phys. Rev. B. 1992. V. 45. P. 13509--13523. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.45.13509
- Olbrich A., Vancea J., Kreupl F., Hoffmann H. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. P. 358--365. https://doi.org/10.1063/1.366691
- Chistokhin I.B., Aksenov M.S., Valisheva N.A., Dmitriev D.V., Kovchavtsev A.P., Gutakovskii A.K., Prosvirin I.P., Zhuravlev K.S. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2018. V. 74. P. 193--198. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2017.10.014
- Hamdaoui N., Ajjel R., Salem B., Gendry M. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2014. V. 26. P. 431--437. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2014.05.043
- Korucu D., Turut A. // Int. J. Electron. 2014. V. 101. P. 1595--1606. https://doi.org/10.1080/00207217.2014.888774
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
