Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 5 » Статья стр. 38
<<<>>>
Топография поверхности и оптические характеристики тонких пленок AlN на подложке GaAs (100), полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления
DOI: 10.21883/PJTF.2019.05.47396.17564
Переводная версия: 10.1134/S1063785019030076
Фомин Е.В.1,2, Бондарев А.Д.2, Rumyantseva A.I.3, Maurer T.3, Пихтин Н.А.2, Тарасов С.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Laboratoire de Nanotechnologie et d'Instrumentation Optique, ICD CNRS UMR, Universite de Technologie de Troyes, Troyes, France
Email: evgeny.fomin@bk.ru
Поступила в редакцию: 16 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования топографии поверхности и оптических характеристик тонких пленок AlN, применяющихся в качестве пассивирующих и просветляющих покрытий, осажденных на подложки n-GaAs (100) методом реактивного ионно-плазменного распыления. Обнаружено, что условия проведения процесса влияют на структуру и оптические характеристики получаемых пленок, что позволяет получать покрытия с заданными параметрами. Анализ результатов эллипсометрии и атомно-силовой микроскопии поверхности показывает, что показатель преломления пленок коррелирует с текстурой поверхности.
  1. Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Токранов В.Е., Улин В.П., Титков А.Н. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 5. С. 594--597
  2. Beister G., Maege J., Erbert G., Trankle G. // Solid-State Electron. 1998. V. 42. N 11. P. 1939--1945
  3. Souto J., Pura J.L., Torres A., Jimenez J., Bettiati M., Laruelle F.J. // Microelectron. Reliab. 2016. V. 64. P. 627--630
  4. Bessolov V.N., Lebedev M.V., Shernyakov Y.M., Tsarenkov B.V. // Mater. Sci. Eng. B. 1997. V. 44. N 1--3. P. 380--382
  5. Ressel P., Erbert G., Zeimer U., Hausler K., Beister G., Sumpf B., Klehr A., Trankle G. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2005. V. 17. N 5. P. 962--964
  6. Shu X., Xu C., Tian Z., Shen G. // Solid-State Electron. 2005. V. 49. N 12. P. 2016--2017
  7. Chand N., Hobson W.S., de Jong J.F., Parayanthal P., Chakrabarti U.K. // Electron. Lett. 1996. V. 32. N 17. P. 1595--1596
  8. Лубянский Я.В., Бондарев А.Д., Сошников И.П., Берт Н.А., Золотарев В.В., Кириленко Д.А., Котляр К.П., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 2. С. 196--200
  9. Nev cas D., Klapetek P. Gwyddion --- free SPM data analysis software. www.gwyddion.net

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme