Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 6 » Статья стр. 13
<<<>>>
Катодолюминесценция слоев TiO2, полученных методом молекулярного наслаивания
DOI: 10.21883/PJTF.2019.06.47491.17637
Переводная версия: 10.1134/S1063785019030210
Барабан А.П. 1, Селиванов А.А.1, Дмитриев В.А. 1, Дрозд А.В. 1, Дрозд В.Е. 1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: alnbaraban@yandex,ru, esssec@gmail.com, adrozd93@mail.ru, vedrozd@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.
PDF версия
Использование метода локальной катодолюминесценции структур Si-TiO2 и Si-SiO2-TiO2 способствует ответу на вопрос о природе центров, влияющих на работу мемристоров. Применение этого метода позволило установить, что электроформовка приводит к появлению во внешней части слоя TiO2, отличающегося высокой концентрацией дефектов, люминесценции в спектральном диапазоне 250-400 nm. Это позволяет сделать заключение о формировании резкой межфазовой границы между диэлектрическими слоями, получить качественную оценку коэффициента поглощения слоя TiO2 и оценить ширину его запрещенной зоны (~ 3.3 eV для данной технологии формирования окисного слоя).
  1. Robertson J., Wallace R.M. // Mater. Sci. Eng. R. 2015. V. 88. P. 1--41
  2. Thompson T.L., Yates J.T. // New Photochem. Process. Chem. Rev. 2006. V. 106. P. 4428--4453
  3. Wong W.K., Malati M.A. // Solar Energy. 1986. V. 36. P. 163--168
  4. Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature. 2008. V. 453. P. 80--83
  5. Yoshida C., Tsunoda K., Noshiro H., Sugiyama Y. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 223510
  6. Ярмаркин В.К., Шульман С.Г., Леманов В.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. В. 10. С. 1767--1774
  7. Malygin A.A., Drozd V.E., Malkov A.A., Smirnov V.M. // Chem. Vap. Deposition. 2015. V. 21. P. 216--240
  8. Drozd V.E., Baraban A.P., Nikiforova I.O. // Appl. Surf. Sci. 1994. V. 83. P. 583--586
  9. Барабан А.П., Дмитриев В.А., Прокофьев В.А., Дрозд В.Е., Филатова Е.О. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 7. С. 10--16
  10. Baraban A.P., Dmitriev V.A., Drozd V.E., Prokofiev V.A., Samarin S.N., Filatova E.O. // J. Appl. Phys. 2016. V. 119. P. 055307 (1--5)
  11. Барабан А.П., Булавинов В.В., Трошихин А.Г. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 18. С. 27-30
  12. Baraban A.P., Dmitriev V.A., Petrov Yu.V., Timofeeva K.A. // Semiconductors. 2013. V. 47. N 13. P. 1711--1714
  13. Choi B.J., Jeong D.S., Kim S.K., Rohde C., Choi S., Oh J.H., Kim H.J., Hwang C.S., Szot K., Waser R., Reichenberg B., Tiedke S. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 033715
  14. Strukov D.B., Williams R.S. // Appl. Phys. A. 2009. V. 94. P. 515--519

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme