Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 8 » Статья стр. 7
<<<>>>
Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
DOI: 10.21883/PJTF.2019.08.47612.17662
Переводная версия: 10.1134/S1063785019040254
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а, 18-38-00906
Гаврина П.С. 1, Соболева О.С. 1, Подоскин А.А. 1, Романович Д.Н. 1, Головин В.С.1, Слипченко С.О. 1, Пихтин Н.А. 1, Багаев Т.А. 2, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Симаков В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: gavrina@mail.ioffe.ru, soboleva@mail.ioffe.ru, podoskin@mail.ioffe.ru, Romanovich@mail.ioffe.ru, SergHPL@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
PDF версия
Предложена методика определения пространственно-временной динамики тока в полупроводниковых гетероструктурах, основанная на модуляции внешнего излучения при прохождении через исследуемый кристалл. Апробация методики проведена на полупроводниковых лазерах-тиристорах на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs. Продемонстрировано качественное совпадение результатов эксперимента с результатами предыдущих измерений пространственно-временной динамики в приборе.
  1. Hempel M., Tomm J.W. // Novel in-plane semiconductor lasers XIII. International Society for Optics and Photonics, 2014. V. 9002. P. 90021H. DOI: 10.1117/12.2035488
  2. Pogany D., Dubec V., Bychikhin S., Furbock C., Litzenberger A., Groos G., Stecher M., Gornik E. // IEEE Electron Dev. Lett. 2002. V. 23. N 10. P. 606--608. DOI: 10.1109/LED.2002.803752
  3. Pogany D., Bychikhin S., Furbock C., Litzenberger M., Gornik E., Groos G., Esmark K., Stecher M. // IEEE Trans. Electron Dev. 2002. V. 49. N 11. P. 2070--2079. DOI: 10.1109/TED.2002.804724
  4. Haberfehlner G., Bychikhin S., Dubec V., Heer M., Podgaynaya A., Pfost M., Stecher M., Gornik E., Pogany D. // Microelectron. Reliab. 2009. V. 49. N 9-11. P. 1346--1351. DOI: 10.1016/j.microrel.2009.07.032
  5. Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна. М.: Сов. радио, 1975. 288 с
  6. Кернер Б.С., Синкевич В.Ф. // Письма в ЖЭТФ. 1982. Т. 36. В. 10. С. 359--362
  7. Сергеев В.А., Куликов А.А. // Радиоэлектронная техника. 2012. N 1. С. 66--72
  8. Вайнштейн С.Н., Жиляев Ю.В., Левинштейн М.Е. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 16. С. 1526--1530
  9. Vainshtein S., Yuferev V., Palankovski V., Ong D.S., Kostamovaara J. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. N 6. P. 062114. DOI: 10.1063/1.2870096
  10. Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Soboleva O.S., Pikhtin N.A., Bagaev T.A., Ladugin M.A., Marmalyuk А.А., Simakov V.A., Tarasov I.S. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. N 5. P. 054502. DOI: 10.1063/1.4975411
  11. Веселов Д.А., Пихтин Н.А., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Шамахов В.В., Шашкин И.С., Воронкова Н.В., Тарасов И.С. // Квантовая электроника. 2015. Т. 45. N 7. С. 604--606
  12. Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Gorbatyuk A.V. // IEEE Trans. Electron Dev. 2015. V. 62. N 1. P. 149--154. DOI: 10.1109/TED.2014.2372317
  13. Yuferev V.S., Podoskin A.A., Soboleva O.S., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Slipchenko S.O. // IEEE Trans. Electron Dev. 2015. V. 62. N 12. P. 4091--4096. DOI: 10.1109/TED.2015.2483371

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme