Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Внутризонное поглощение излучения свободными дырками в квантовых ямах GaAs/InGaAs с учетом несферичности kP-гамильтониана
Переводная версия: 10.1134/S1063785019050274 
РФФИ, 17-32-50145
Павлов Н.В.
1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: pavlovnv@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2019 г.
Выведена и решена система кейновских уравнений с учетом упругих напряжений и несферичности kP-гамильтониана, получены аналитические выражения энергетических спектров носителей заряда. Выполнен расчет коэффициента поглощения света тяжелыми дырками с переходом в спин-отщепленную зону в квантовых ямах GaAs/InGaAs для различных направлений поляризации падающего излучения. Показано, что для гетероструктуры GaAs/InGaAs максимальное поглощение будет наблюдаться при ширине квантовой ямы 4-6 nm.
- Zory P.S. Quantum well lasers. N.Y.: Academic Press, 1993. 504 p
- Шик А.Я. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 8. С. 40--43
- Павлов Н.В., Зегря А.Г., Зегря Г.Г., Бугров В.Е. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 2. С. 207--220
- Kane E.O. // J. Phys. Chem. Solids. 1957. V. 1. N 4. P. 249--261
- Bastard G. // Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures. N.Y.: John Wiley and Sons, Inc., 1990. 357 p
- Polkovnikov A.S., Zegrya G.G. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. N 7. P. 4039--4056
- Pavlov N.V., Zegrya G.G. // J. Phys.: Conf. Ser. 2018. V. 993. P. 012013
- Szmulowicz F., Haugan H., Brown G.J. // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. N 15. P. 155321
- Глинский Г.Ф., Миронова М.С. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 10. С. 1359--1369
- Глинский Г.Ф. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 6. С. 17--24
- Liu G., Chuang S.L. // Phys. Rev. B. 2002. V. 65. N 16. P. 165220
- Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 584 с
- Burt M.G. // J. Phys.: Condens. Matter. 1992. V. 4. N 32. P. 6651--6690
- Krijn M.P.C.M. // Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. N 1. P. 27--31
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
