Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в n-3C-SiC
Лебедев А.А.1,2, Никитина И.П.1, Середова Н.В.1, Полетаев Н.К., Лебедев С.П.1, Козловский В.В.3, Зубов А.В.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.
Проведено исследование спектров фотолюминесценции в гетероструктурах 3C-SiC/4H-SiC и монокристаллах 3C-SiC. Показано, что эпитаксиальные слои 3C-SiC, выращенные на подложках 4H-SiC, имеют существенно меньшее структурное совершенство, чем монокристаллы 3C-SiC. Обнаружено, что легирование алюминием приводит к появлению характерной фотолюминесценции как в эпитаксиальных слоях, так и в монокристаллах 3C-SiC. В то же время облучение электронами эпитаксиальных слоев не приводит к появлению "дефектной" фотолюминесценции, как это наблюдается для монокристаллов. Высказано предположение, что существующие в эпитаксиальных слоях 3C-SiC двойниковые границы могли служить геттерами радиационных дефектов, являющихся компонентами донорно-акцепторных пар, ответственных за "дефектную" фотолюминесценцию. Ключевые слова: фотолюминесценция, кубический политип карбида кремния, сублимационная эпитаксия, облучение электронами.
- Лебедев А.А., Мосина Г.Н., Никитина И.П., Савкина Н.С., Сорокин Л.М., Трегубова А.С. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 24. C. 57--63
- Davydov D.V., Lebedev A.A., Tregubova A.S., Kozlovski V.V., Kuznetsov A.N., Bogdanova E.V. // Mater. Sci. Forum. 2000. V. 338-342. P. 221--224
- Gorin S.N., Ivanova L.M. // Phys. Status Solidi B. 1997. V. 202. N 1. P. 221--245
- Nishino S., Powell J.A., Will H.A. // Appl. Phys. Lett. 1983. V. 42. N 42. P. 460--462
- Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г. // ФТТ. 1977. Т. 19. В. 9. C. 1812--1814
- Lebedev A.A. // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. N 6. P. R17--R34
- Лебедев А.А., Зеленин В.В., Абрамов П.Л., Богданова Е.В., Лебедев С.П., Нельсон Д.К., Разбирин Б.С., Щеглов М.П., Трегубова А.С., Suvajarvi M., Yakimova R. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 3. C. 273--275
- Jokubavicius V., Yazdi G.R., Liljedahl R., Ivanov I.G., Sun J., Liu X., Schuh P., Wilhelm M., Wellmann P., Yakimova R., Syvajarvi M. // Cryst. Growth. 2015. V. 15. N 6. P. 2940--2947
- Suzuki A., Matsunami H., Tanaka T. // J. Electrochem. Soc. 1977. V. 124. N 2. P. 241--246
- Макаров В.В., Петров Н.Н. // ФТТ. 1966. Т. 8. В. 5. С. 1602--1607
- Кодрау Н.В., Макаров В.В. // ФТП. 1981. Т. 15. В. 7. С. 1408--1411
- Lebedev A.A., Ber B.Ya., Seredova N.V., Kazantsev D.Yu., Kozlovski V.V. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2015. V. 48. N 48. P. 485106
- Козловский В.В., Лебедев А.А., Богданова Е.В., Середова Н.В. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 9. С. 1198--1201
- Макаров В.В. // ФТТ. 1967. Т. 9. В. 2. С. 596--600
- Al Atem A.S., Ferrier L., Canut B., Chauvin N., Guillot G., Bluet J.-M. // Phys. Status Solidi C. 2016. V. 13. N 10-12. P. 860--863
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
