В интервале 10-10⁶ Hz при 300 K исследованы частотные зависимости комплексного импеданса Z, диэлектрической проницаемости ε и тангенса угла диэлектрических потерь tgdelta тонких (1400 Angstrem) пленок V_1-xGe_xO₂ (для x=0 и 0.03). Установлено, что при x=0 частотная зависимость tgdelta имеет максимум на частоте 100 kHz, тогда как при x=0.03 обнаруживается дополнительный максимум в области 10 kHz. Коул-Коул-диаграмма пленок VO₂:Ge также приобретает особенность в виде дополнительной полуокружности. Предложена комплексная эквивалентная электрическая схема образца, позволившая благодаря рекордно высокой чувствительности метода диэлектрической спектроскопии обнаружить существование в пленке V_0.97Ge_0.03O₂ двух совокупностей нанокристаллитов VO₂: легированных Ge и практически нелегированных. Ключевые слова: диоксид ванадия VO₂, легированные пленки VO₂:Ge, корреляционные эффекты, диэлектрическая спектроскопия, электронная микроскопия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.