Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование многослойных тонкопленочных структур методом резерфордовского обратного рассеяния
Переводная версия: 10.1134/S1063785019060191 
Бачурин В.И.
1, Мелесов Н.С.1, Паршин Е.О.
1, Рудый А.С.
1, Чурилов А.Б.
1
1Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН, Ярославль, Россия 
Email: vibachurin@mail.ru, dartnik@mail.ru, par1959@yandexl.ru, rudy@uniyar.ac.ru, abchurilov@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.
Представлены результаты изучения возможностей метода резерфордовского обратного рассеяния для анализа многослойной структуры, содержащей слои нанометрового масштаба с близкими по массам элементами. Показано, что резерфордовское обратное рассеяние позволяет с достаточно высокой точностью определять состав таких структур, толщину пленки в целом и толщины отдельных слоев и может использоваться для входного контроля технологических структур, применяемых в микро- и нанотехнологиях. Ключевые слова: многослойные тонкопленочные структуры, послойный анализ, резерфордовское обратное рассеяние.
- Oswald S., Baunack S. // Thin Solid Films. 2003. V. 425. P. 9-19. DOI: 10.1016/S0040-6090(02)01097-0
- Escobar Galindo R., Gago R., Lousa A., Albella J.M. // Trends Anal. Chem. 2009. V. 28. P. 494--505. DOI: 10.1016/j.trac.2009.01.004
- Коломиец В.Н., Кононенко И.Н., Кравченко С.Н., Захарец М.И., Сторижко В.Е., Ввозный В.И., Бугай А.Н., Девизенко А.Ю. // Металлофизика и новейшие технологии. 2016. Т. 38. N 6. С. 815--823. DOI: 10.15407/mfint.38.06.0815
- Бачурин В.И., Мелесов Н.Н., Мироненко А.А., Паршин Е.О., Рудый А.С., Симакин С.Г., Чурилов А.Б. // Поверхность. 2019. N 4. С. 38--43. DOI: 10.1134/S0207352819040024
- Трушин О.С., Симакин С.Г., Васильев С.В., Смирнов Е.А. // Микроэлектроника. 2018. Т. 47. N 6. С. 424--430. DOI: 10.31857/S054412690002768-1
- Reis M.A., Chaves P.C., Corregitor V., Barradas N.P., Alves E., Dimroth F., Bett A.W. // X-ray Spectrom. 2005. V. 34. P. 372-375. DOI: 10.1002/xrs.841
- Mayer M. SIMNRA User's Guide. Garching, Germany: Max-Planck-Institut fur Plasmaphysik, 2011. 220 p
- Knapp J.A., Barbour J.C., Doyle B.L. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1992. V. 10. P. 2685--2690. DOI: 10.1116/1.577959
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
