Планарные емкостные структуры на основе сегнетоэлектрических пленок титаната-станната бария на сапфире для сверхвысокочастотных применений
Российский научный фонд, Президентская программа исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 18-79-10156
Министерство образования и науки Российской Федерации, 3.3990.2017/4.6
Тумаркин А.В.
1, Злыгостов М.В.
1, Гагарин А.Г.
1, Алтынников А.Г.
1, Сапего Е.Н.
11Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: avtumarkin@yandex.ru
Поступила в редакцию: 7 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
Исследованы структурные свойства сегнетоэлектрических пленок титаната-станната бария на подложках сапфира и сверхвысокочастотные характеристики планарных емкостных элементов на их основе. Установлено, что состав газовой среды в процессе осаждения пленки оказывает существенное влияние на кристаллическую структуру, фазовый состав пленок и их электрические характеристики. Впервые продемонстрирован низкий уровень диэлектрических потерь планарных емкостных элементов на основе пленок титаната-станната бария в частотном диапазоне 2-60 GHz при высокой управляемости. Ключевые слова: сегнетоэлектрические пленки, титанат-станнат бария, сверхвысокочастотные применения.
- Gevorgian S. Ferroelectrics in microwave devices, circuits and systems. London: Springer, 2009. 396 p. DOI: 10.1007/978-1-84882-507-9
- Вендик О.Г. // ФТТ. 2009. Т. 51. В. 7. С. 1441--445. DOI: 10.1134/S1063783409070543
- Luo C., Ji J., Ling F., Li D., Yao J. // J. Alloys Compd. 2016. V. 687. P. 458--462. DOI: 10.1016/j.jallcom.2016.05.324
- Meyers C.J.G., Freeze C.R., Stemmer S., York R.A. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. P. 112902. DOI: 10.1063/1.4961626
- Song L.R., Chen Y., Wang G.S., Yang L.H., Ge J., Dong X.L., Xiang P.H., Zhang Y.Y., Tang X.D. // J. Am. Ceram. Soc. 2014. V. 97. P. 3048--3051. DOI: 10.1111/jace.13218
- Tumarkin A.V., Gagarin A.G., Altynnikov A.G., Gaidukov M.M., Odinets A.A., Razumov S.V., Kozyrev A.B. // Thin Solid Films. 2015. V. 593. P. 189--192. DOI: 10.1016/j.tsf.2015.09.057
- Tumarkin A.V., Stozharov V.M., Altynnikov A.G., Gagarin A.G., Razumov S.V., Kaptelov E.Y., Senkevich S.V., Pronin I.P., Kozyrev A.B. // Integr. Ferroelectrics. 2016. V. 173. P. 140--146. DOI: 10.1080/10584587.2016.1187055
- Wu M., Zhang C., Yu S., Li L. // Ceram. Int. 2018. V. 44. P. 11466--11471. DOI: 10.1016/j.ceramint.2018.03.208
- Hoffmann S., Waser R.M. // Integr. Ferroelectrics. 1997. V. 17. P. 141--152. DOI: 10.1080/10584589708012989
- Ihlefeld J.F., Borland W.J., Maria J.-P. // J. Mater. Sci. 2008. V. 43. P. 4264--4270. DOI: 10.1007/s10853-008-2618-x
- Song S., Zhai J., Gao L., Yao X. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 052902. DOI: 10.1063/1.3073743
- Gao L., Zhai J., Song S., Yao X. // Mater. Chem. Phys. 2010. V. 124. P. 192--195. DOI: 10.1016/j.matchemphys.2010.06.018
- Wu M., Zhang C., Yu S., Li L. // Ceram. Int. 2018. V. 44. P. 10236--10240. DOI: 10.1016/j.ceramint.2018.03.026
- Huang H., Wang M., Chen C., Wu N., Lin H. // J. Eur. Ceram. Soc. 2006. V. 26. P. 3211--3219. DOI: 10.1016/j.jeurceramsoc.2005.09.109
- Song S., Gao L., Zhai J., Yao X., Cheng Z. // Appl. Surf. Sci. 2008. V. 254. P. 5120--5123. DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.02.002
- Song S., Zhai J., Yao X. // Mater. Res. Bull. 2008. V. 43. P. 2374--2379. DOI: 10.1016/j.materresbull.2007.08.006
- Razumov S.V., Tumarkin A.V., Gaidukov M.M., Gagarin A.G., Kozyrev A.B., Vendik O.G., Ivanov A.V., Buslov O.U., Keys V.N., Sengupta L.C., Zhang X. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 1675--1677. DOI: 10.1063/1.1499987
- Тумаркин А.В., Злыгостов М.В., Гагарин А.Г., Сапего Е.Н. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 23. С. 63--70. DOI: 10.21883/PJTF.2018.23.47011.17476
- Тумаркин А.В., Вольпяс В.А., Злыгостов М.В., Одинец А.А., Сапего Е.Н. // Изв. РАН. Сер. физ. 2018. Т. 82. N 3. С. 395--401. DOI: 10.7868/S0367676518030304
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.