Вышедшие номера
Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063785019070149
Российский научный фонд, Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 18-79-10088
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Госзадание, 8.1751.2017/ПЧ
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Стипендия Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, СП-2450.2018.5
Ведь М.В.1, Дорохин М.В.1, Лесников B.П.1, Павлов Д.А.1, Усов Ю.В.1, Кудрин А.В.1, Дёмина П.Б.1, Здоровейщев А.В.1, Данилов Ю.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: mikhail28ved@gmail.com
Поступила в редакцию: 29 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с инжектором из разбавленного магнитного полупроводника (In,Fe)Sb. Выполнен анализ вольт-амперных характеристик структур (In,Fe)Sb/n-GaAs и (In,Fe)Sb/p-GaAs. Построены зонные диаграммы гетеропереходов. Показано, что исследованные структуры по механизму токопереноса аналогичны структурам с барьером Шоттки. Ключевые слова: разбавленные магнитные полупроводники, диодные структуры, гетеронаноструктуры A3B5, спиновая инжекция.