Вышедшие номера
Релаксация напряжений в кристаллах CrSi2, выращенных в условиях невесомости из расплава Zn системы Cr-Si-Zn
Переводная версия: 10.1134/S106378501907006X
Калашников Е.В.1, Гурин В.Н.1, Никаноров С.П.1, Яговкина М.А.1, Деркаченко Л.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ekevkalashnikov1@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

Приводятся и анализируются экспериментальные данные по исследованию микрокристаллов CrSi2, выращенных в условиях невесомости из расплава Zn системы Cr-Si-Zn методом массовой кристаллизации и помещенных в земные условия. Обнаружены новые свойства таких кристаллов. Ключевые слова: кристаллизация, невесомость, кристаллическая структура, релаксация, избыточное напряжение, дефекты, решеточные константы.