Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 14 » Статья стр. 36
<<<>>>
Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом
DOI: 10.21883/PJTF.2019.14.48022.17738
Переводная версия: 10.1134/S106378501907023X
Лундин В.В.1, Сахаров А.В.1, Заварин Е.Е.1, Закгейм Д.А.1, Лундина Е.Ю.1, Брунков П.Н.1, Цацульников А.Ф.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
PDF версия
Исследованы морфология и электрические свойства полуизолирующих эпитаксиальных слоев GaN. Показано, что улучшение изолирующих свойств слоев при повышении уровня легирования углеродом или железом ограничено ухудшением морфологии, при этом характер развития морфологии различен для этих двух примесей. Установлено, что совместное легирование углеродом и железом позволяет сохранить планарность поверхности GaN при существенном улучшении изолирующих свойств. Ключевые слова: транзистор с высокой подвижностью электронов, полуизолирующий нитрид галлия, ток утечки, совместное легирование.
  1. Lampert M.A., Mark P. Current injection in solids. N.Y.-London: Academic Press, 1970. 354 p. [Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с.]
  2. Song Ch., Yang X., Ji P., Tang J., Hu A., Feng Y., Lin W., Ge W., Yang Zh., Xu F., Shen B. // Superlatt. Microstruct. 2019. V. 128. P. 199--203. DOI: 10.1016/j.spmi. 2019.01.028
  3. Weimann N.G., Eastman L.F., Doppalapudi Dh., Ng H.M., Moustakas T.D. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. N 7. P. 3656--3659
  4. Li X., Danielsson O., Pedersen H., Janzen E., Forsberg U. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2015. V. 33. N 2. P. 021208. DOI: 10.1116/1.4914316
  5. Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Kazantsev D.Yu., Ber B.Ya., Yagovkina M.A., Brunkov P.N., Tsatsulnikov A.F. // J. Cryst. Growth. 2016. V. 449. P. 108--113. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.06.002
  6. Lesnik A., Hoffmann M.P., Fariza A., Blasing J., Witte H., Veit P., Horich F., Berger Ch., Hennig J., Dadgar A., Strittmatter A. // Phys. Status Solidi B. 2017. V. 254. N 8. P. 1600708. DOI: 10.1002/pssb.201600708
  7. Tsuchiya T., Terano A., Mochizuki K. // Jpn. J. Appl. Phys. 2016. V. 55. N 5S. P. 05FE05. DOI: 10.7567/JJAP.55.05FE05
  8. Rudzinski M., Desmaris V., van Hal P.A., Weyher J.L., Hageman P.R., Dynefors K., Rodle T.C., Jos H.F.F., Zirath H., Larsen P.K. // Phys. Status Solidi C. 2006. V. 3. N 6. P. 2231--2236. DOI: 10.1002/pssc.200565379
  9. Lei C., Haibo Y., Lijuan J., Quan W., Chun F., Hongling X., Cuimei W., Jiamin G., Bo Zh., Baiquan Li, Xiaoliang W., Zhanguo W. // J. Semicond. 2015. V. 36. N 10. P. 103002. DOI: 10.1088/1674-4926/36/10/103002
  10. Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Закгейм Д.А., Николаев А.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Цацульников А.Ф. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 13. C. 51--58. DOI: 10.21883/PJTF.2018.13.46327.17310
  11. Лундин В.В., Заварин Е.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Сахаров А.В., Синицын М.А., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Цацульников А.Ф. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 10. С. 85--91
  12. Fariza A., Lesnik A., Neugebauer S., Wieneke M., Hennig J., Blasing J., Witte H., Dadgar A., Strittmatter A. // J. Appl. Phys. 2017. V. 122. N 2. P. 025704. DOI: 10.1063/1.4993180
  13. Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Николаев А.Е., Михайловский Г.А., Брунков П.Н., Гончаров В.В., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Цацульников А.Ф. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 7. С. 996--1001

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme