Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 14 » Статья стр. 52
<<<
Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов
DOI: 10.21883/PJTF.2019.14.48026.17764
Переводная версия: 10.1134/S1063785019070204
This work was performed within the framework of the budget project No. 0306-2019-0008.
Чиж А.Л.1, Микитчук К.Б.1, Журавлев К.С.2,3, Дмитриев Д.В.2,3, Торопов А.И.2, Валишева Н.А.2, Аксенов М.С.2, Гилинский A.M.2, Чистохин И.Б.2
1ГНПО "Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника" НАН Беларуси, Минск, Беларусь
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 4 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
PDF версия
Разработаны конструкция и технология изготовления мощных СВЧ-фотодиодов Шоттки с микрополосковыми выводами на основе двойной гетероструктуры InAlAs/InGaAs. Рабочая частота фотодиодов диаметром 15 μm составляет более 25 GHz, а максимальная выходная СВЧ-мощность - свыше 50 mW на частоте 20 GHz, что позволяет применять такие фотодиоды в аналоговых волоконно-оптических линиях передачи СВЧ-сигналов, а также для генерации и обработки СВЧ-сигналов оптическими методами в системах радиолокации и измерительной СВЧ-техники. Ключевые слова: мощные СВЧ-фотодиоды, барьер Шоттки, гетероструктуры InAlAs/InGaAs.
  1. Seeds A.J., Williams K.J. // J. Lightwave Technol. 2006. V. 24. N 12. P. 4628--4641
  2. Малышев С.А., Чиж А.Л., Микитчук К.Б. Волоконно-оптические лазерные и фотодиодные модули СВЧ-диапазона и системы радиофотоники на их основе // Материалы 4-й Всерос. конф. "Электроника и микроэлектроника СВЧ". СПб., Россия, 2015. С. 10--18
  3. Ridgway R.W., Dohrman C.L., Conway J.A. // IEEE/OSA J. Lightwave Technol. 2014. V. 32. N 20. P. 3428--3439
  4. Чистохин И.Б., Журавлев К.С. // Успехи прикладной физики. 2015. Т. 3. N 1. С. 85--94
  5. Liu P.L., Williams K.J., Frankel M.Y., Esman R.D. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1999. V. 47. N 7. P. 1297--1303
  6. Beling A., Xie X., Campbell J.C. // Optica. 2016. V. 3. N 3. P. 328--338
  7. Williams K.J., Esman R.D. // J. Lightwave Technol. 1999. V. 17. N 8. P. 1443--1454
  8. Malyshev S.A., Chizh A.L., Vasileuski Yu.G. // J. Lightwave Technol. 2008. V. 26. N 15. P. 2732--2739
  9. Chistokhin I.B., Aksenov M.S., Valisheva N.A., Dmitriev D.V., Kovchavtsev A.P., Gutakovskii A.K., Prosvirin I.P., Zhuravlev K.S. // Mater. Sci. Semicond. Proc. 2018. V. 74. P. 193--198
  10. Chizh A., Malyshev S., Mikitchuk K. High-speed high-power InAlAs/InGaAs/InP Schottky photodiode // IEEE Int. Topical Meeting on microwave photonics (MWP2015). Paphos, Cyprus, 2015. P. 1--4

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme