Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким p-n-переходом
Переводная версия: 10.1134/S1063785019100031 
Министерство инновационного развития республики Узбекистан, Энергетика, энерго- и ресурсобережение, транспорт, машино- и приборостроение, развитие современной электроники, микроэлектроники, фотоники и электронного приборостроения, ОТ-Ф2-50
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан 
2Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
2Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
Email: bahazeb@yandex.ru, zoir1991@bk.ru, koveshnikov_s@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
Показано, что легирование лицевой стороны солнечного элемента с глубоко залегающим p-n-переходом атомами никеля приводит к увеличению значений плотности тока короткого замыкания Jsc на 89% и напряжения холостого хода Voc на 19.7%. Дополнительная термообработка при 700oC в течение часа приводит к росту Jsc на 98.4% и Voc на 13.18%. Предполагается, что рост эффективности преобразования инфракрасного излучения происходит за счет формирования кластеров атомов никеля, являющихся геттерирующими центрами для неконтролируемых рекомбинационных примесей. Ключевые слова: фотоэлемент, кремний, никель, легирование, термоотжиг, кластеры, коэффициент собирания, время жизни.
- Фукс Б.И. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 12. С. 1704--1712
- Миличко В.А., Шалин А.С., Мухин И.С., Ковров А.Э., Красилин А.А., Виноградов А.В., Белов П.А., Симовский К.Р. // УФН. 2016. Т. 186. N 8. С. 801--852
- Афанасев В.П., Теруков Э.И., Шерченков А.А. Тонкопленочные солнечные элементы на основе кремния. 2-е изд. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2011. 168 с
- Лунин Л.С., Лунина М.Л., Пащенко А.С., Алфимова Д.Л., Арустамян Д.А., Казакова А.Е. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 6. С. 7--9
- Гук Е.Г., Зимогорова Н.С., Шварц М.З., Шуман В.Б., Токранова Н.А. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 2. С. 40--44.
- Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 384 с
- Konig D., Gutsch S., Gnaser H., Wahl M., Kopnarski M., Gottlicher J., Steininger R., Zacharias M., Hiller D. // Sci. Rep. 2015. V. 5. P. 9702. DOI: 10.1038/srep09702
- Lindroos J., Fenning D.P., Backlund D.J., Verlage E., Gorgulla A., Estreicher S.K., Savin H., Buonassisi T. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. N 20. P. 204906
- Астащенков А.С., Бринкевич Д.И., Петров В.В. // Докл. БГУИР. 2018. N 8 (38). С. 37--43
- Bakhadyrkhanov M.K., Iliyev Kh.M., Ayupov K.S., Abdurakhmanov B.A., Krivenko P.Yu., Kholmukhamedov R.L. // Inorgan. Mater. 2011. V. 47. N 9. P. 962--964
- Abdurakhmanov B.A., Bakhadirkhanov M.K., Ayupov K.S., Iliyev H.M., Saitov E.B., Mavlyanov A., Kamalov H.U. // Nanosci. Nanotechnol. 2014. V. 4. N 2. P. 23--26
- Bakhadyrkhanov M.K., Ismailov K.A., Ismaylov B.K., Saparniyazova Z.M. // SPQEO. 2018. V. 21. N 4. P. 300--304
- Bakhadyrhanov M.K., Sodikov U.X., Melibayev D., Wumaier T., Koveshnikov S.V., Khodjanepesov K.A., Zhan J. // J. Mater. Sci. Chem. Eng. 2018. V. 6. P. 180--190
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
