Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 21 » Статья стр. 3
>>>
Влияние уровня легирования исходных монокристаллов кремния на параметры структуры пористого кремния, полученного методом электрохимического травления
DOI: 10.21883/PJTF.2019.21.48463.17791
Переводная версия: 10.1134/S1063785019110154
Зегря А.Г.1, Соколов В.В.1, Зегря Г.Г.1, Ганин Ю.В.2, Михайлов Ю.М.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
Email: zegrya@bk.ru
Поступила в редакцию: 18 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
PDF версия
Выявлено воздействие относительно небольших изменений концентрации свободных носителей заряда в сильнолегированном монокристаллическом кремнии p-типа проводимости на структурные параметры пористых слоев, образующихся в результате его анодного травления. Выраженное влияние дырочной концентрации на исследуемые параметры структуры пористого кремния объясняется исходя из представлений об электрохимическом порообразовании в кристаллах кремния как о самоорганизующемся кооперативном процессе, сопровождающемся инжекцией электронов из области химической реакции на фронте продвижения пор. Ключевые слова: пористый кремний, электрохимическое травление, уровень легирования, пористость, удельная площадь поверхности.
  1. Canham L.T. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. P. 1046--1048
  2. Kovalev D., Gross E., Kunzner N., Koch F., Timoshenko V.Yu., Fujii M. // Phys. Rev. Lett. 2002. V. 89. P. 137401
  3. Kovalev D., Timoshenko V.Yu., Kunzner N., Gross E., Koch F. // Phys. Rev. Lett. 2001. V. 87. P. 068301
  4. Ксенофонтова О.И., Васин А.В., Егоров В.В., Бобыль А.В., Солдатенков Ф.Ю., Теруков Е.И., Улин В.П., Улин Н.В., Киселев О.И. // ЖТФ. 2014. Т. 81. В. 1. С. 67--78
  5. Porous silicon: from formation to application / Ed. G. Korotcenkov. London: CRC Press, 2016
  6. Кравчик А.Е., Кукушкина Ю.А., Соколов В.В., Терещенко Г.Ф., Устинов Е.А. // ЖПХ. 2008. Т. 81. В. 10. С. 1605--1612
  7. Улин В.П., Улин Н.В., Солдатенков Ф.Ю. // ФТП. 2017. T. 51. В. 4. C. 481--496.
  8. Астрова Е.В., Федулова Г.В., Смирнова И.А., Ременюк А.Д., Кулова Т.Л., Скундин А.М. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 15. С. 87--94
  9. Улин В.П., Конников С.Г. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 7. С. 867--877
  10. New semiconductor materials: characteristics and properties. Databases, archives and catalogs. http://www.matprop.ru
  11. Lehmann V., Stengl R., Luigart A. // Mater. Sci. Eng. B. 2000. V. 69-70. P. 11--22.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme