Получены эпитаксиальные пленки сульфида цинка на кремнии методом молекулярного наслаивания. Для того чтобы избежать взаимодействия между кремнием и сульфидом цинка, на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом химического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~ 100 nm. Дифракция быстрых электронов показала, что слои ZnS являются эпитаксиальными. Эллипсометрическими методами доказано, что выращенные слои ZnS прозрачны в области энергий фотонов вплоть до 3 eV, что имеет решающее значение для приложений в оптоэлектронике. Ключевые слова: широкозонные полупроводники, сульфид цинка, карбид кремния, метод молекулярного наслаивания.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.