Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Необычный механизм релаксации напряжений несоответствия в тонких нанопленках
Переводная версия: 10.1134/S1063785019110282 
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), конкурс «офи_м», тема 603, 16-29-03292
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: trukh@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 24 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
Установлен новый механизм релаксации напряжений несоответствия в нанопленках при изменении плотности поверхностных фаз. Он обеспечивается упорядоченным массопереносом атомов из напряженного атомного слоя. В процессе фазового перехода 7x 7-> 5x 5 в пленке Ge на Si(111) происходит частичная компенсация сжимающих напряжений на границе объемного кристалла и сверхструктуры за счет растягивающей деформации в неплотных слоях поверхностной фазы. Ключевые слова: германий, механизм релаксации, сверхструктурный переход, массоперенос.
- Kim H. // Atomic structure and defects of III-V compound semiconductor strained-layer-superlattices for infrared detection. Dissertation. Urbana, Illinois: University of Illinois at Urbana-Champaign, 2015. 125 p
- Teys S.A. // Appl. Surf. Sci. 2017. V. 392. P. 1017--1025
- Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. // Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наук. думка, 1983. 135 c
- Ayers J.E., Kujofsa T., Rago P., Raphael J.E. // Heteroepitaxy of semiconductors: theory, growth and characterization. 2nd ed. Boca Raton: Taylor \& Francis Group, 2017. P. 181
- Скиба Н.В. // Mater. Phys. Mech. 2014. V. 19. P. 68--87
- Matthews J.W. // J. Vac. Sci. Technol. 1975. V. 12. P. 126--133
- Romanov A.E., Wagner T. // Scripta Mater. 2001. V. 45. P. 325--331
- Anderson P.M., Hirth J.P., Lothe J. // Theory of dislocations. N.Y.: University Press, 2017. 718 p
- Кукушкин С.А., Осипов А.В., Schmitt F., Hess P. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 10. С. 1177--1185
- Ratsch C., Zangwill A. // Surf. Sci. 1993. V. 293. Р. 123--131
- Талочкин А.Б., Тийс С.А. // Письма в ЖЭТФ. 2002. Т. 75. В. 6. С. 314--317
- Freund L.В., Suresh S. // Thin film materials, stress, defect formation and surface evolution. N.Y.: Univesity Press, 2003. 750 р
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
