Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 3 » Статья стр. 38
<<<>>>
Исследование динамических пороговых характеристик VO2-переключателя в осцилляторном контуре
DOI: 10.21883/PJTF.2020.03.48991.17890
Переводная версия: 10.1134/S1063785020020054
Российский научный фонд, 16-19-00135
Беляев М.А. 1, Величко А.А. 1
1Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия
Email: biomax89@yandex.ru
Поступила в редакцию: 23 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.
PDF версия
Исследована зависимость динамических пороговых характеристик VO2-переключателя от частоты осцилляций автоколебательного контура. Обнаружен переходный режим осцилляций, связанный с саморазогревом подложки. Предложены аналитические формулы, позволяющие учитывать эти закономерности и имеющие практическую значимость при конструировании осцилляторных нейронных сетей на основе VO2-переключателей. Ключевые слова: диоксид ванадия, электрическое переключение, численное моделирование, осцилляторные нейронные сети.
  1. Vodenicarevic D., Locatelli N., Grollier J., Querlioz D. // J. Appl. Phys. 2018. V. 124. P. 152117
  2. Novikov A., Benderskaya E. Networks of coupled oscillators for cluster analysis: overview and application prospects // 13th Int. Symp. on neural networks. St. Petersburg, 2016. P. 444--453
  3. Kumar A., Mohanty P. // Sci. Rep. 2017. V. 7. P. 411
  4. Strogatz S.H. // Physica D. 2000. V. 143. P. 1--20
  5. Nikonov D.E., Csaba G., Porod W., Shibata T., Voils D., Hammerstrom D., Young I.A., Bourianoff G.I. // IEEE J. Explor. Solid-State Comput. Devices Circuits. 2015. V. 1. P. 85--93
  6. Holzel R.W., Krischer K. // New J. Phys. 2011. V. 13. P. 73031
  7. Raychowdhury A., Parihar A., Smith G.H., Narayanan V., Csaba G., Jerry M., Porod W., Datta S. // Proc. IEEE. 2018. V. 107. P. 73-89
  8. Sharma A.A., Bain J.A., Weldon J.A. // IEEE J. Explor. Solid-State Comput. Devices Circuits. 2015. V. 1. P. 58--66
  9. Pergament A., Velichko A., Belyaev M., Putrolaynen V. // Physica B. 2018. V. 536. P. 239--248
  10. Velichko A., Belyaev M., Putrolaynen V., Boriskov P. // Electronics. 2018. V. 7. P. 266
  11. Xue W., Liu G., Zhong Z., Dai Y., Shang J., Liu Y., Yang H., Yi X., Tan H., Pan L., Gao S., Ding J., Xu X.-H., Li R.-W. // Adv. Mater. 2017. V. 29. P. 1702162
  12. Ильинский А.В., Квашенкина О.Е., Шадрин Е.Б. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 9. С. 1194--1208
  13. Radu I.P., Govoreanu B., Mertens S., Shi X., Cantoro M., Schaekers M., Jurczak M., De Gendt S., Stesmans A., Kittl J.A., Heyns M., Martens K. // Nanotechnology. 2015. V. 26. P. 165202
  14. Velichko A., Belyaev M., Putrolaynen V., Pergament A., Perminov V. // Int. J. Mod. Phys. B. 2017. V. 31. P. 1650261
  15. Беляев М.А., Путролайнен В.В., Величко А.А. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 24. С. 41--48
  16. Mari n E., Vaca-Oyola L.S., Delgado-Vasallo O. // Rev. Mex. Fi sica E. 2016. V. 62. P. 1--4

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme