Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 4 » Статья стр. 3
>>>
AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2020.04.49040.18055
Переводная версия: 10.1134/S1063785020020285
Суханов М.А.1,2, Бакаров А.К.1,2, Протасов Д.Ю.1,3, Журавлёв К.С.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: sukhanovma@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.
PDF версия
Представлена фотоприемная гетероструктура на основе AlInSb/InSb, выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изготовлены мезоструктуры различных диаметров. Измерена температурная зависимость темнового тока. Показано, что встроенный барьер блокирует поток основных носителей заряда, тем самым снижая плотность темнового тока по сравнению с таковой для pin-структуры на основе InSb. Путем измерения зависимости темнового тока от размера мезоструктуры определено, что объемная составляющая тока преобладает над поверхностной. Ключевые слова: InSb, nBn-детектор, темновой ток, молекулярно-лучевая эпитаксия, ИК-фотоприемник.
  1. Hopkins F.K., Boyd J.T. // Infrared Phys. 1984. V. 24. N 4. P. 391--395. DOI: 10.1016/0020-0891(84)90031-9
  2. Park S., Choi D., Park H., Moon D., Yoon E., Park Y., Bae D.K. // Int. J. Nanotechnol. 2016. V. 13. N 4-6. P. 392-401. DOI: 10.1504/IJNT.2016.077089
  3. Simchi H., Sareminia Gh., Shafiekhani A., Valizadeh Gh. // Infrared Phys. Technol. 2008. V. 51. N 3. P. 263--269. DOI: 10.1016/j.infrared.2007.09.001
  4. Maimon S., Wicks G.W. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. N 15. P. 151109. DOI: 10.1063/1.2360235
  5. Martyniuk P., Kopytko M., Rogalski A. // Opto-Electron. Rev. 2014. V. 22. N 2. P. 127--146. DOI: 10.2478/s11772-014-0187-x
  6. Sidor D.E., Savich G.R., Wicks G.W. // J. Electron. Mater. 2016. V. 45. N 9. P. 4663--4667. DOI: 10.1007/s11664-016-4451-3
  7. Бакаров А.К., Гутаковский А.К., Журавлев К.С., Ковчавцев А.П., Торопов А.И., Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А. // ЖТФ. 2017. Т. 87. В. 6. С. 900--904. DOI: 10.21883/JTF.2017.06.44514.1986
  8. Evirgen A., Abautret J., Perez J.P., Ai t-Kaci H., Christol P., Fleury J., Sik H., Nedelcu A., Cluzel R., Cordat A. InSb photodetectors with PIN and nBn designs // Quantum sensing and nanophotonic devices XI. San Francisco: International Society for Optics and Photonics, 2014. V. 8993. P. 899313. DOI: 10.1117/12.2039156
  9. Savich G.R., Sidor D.E., Du X., Morath C.P., Cowan V.M., Wicks G.W. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. N 17. P. 173505. DOI: 10.1063/1.4919450

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme