Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 5 » Статья стр. 3
>>>
Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In0.4Ga0.6As оптического диапазона 900-1050 nm
DOI: 10.21883/PJTF.2020.05.49098.18096
Переводная версия: 10.1134/S1063785020030116
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 16-12-10269
Минтаиров С.А.1, Калюжный Н.А.2, Максимов М.В.1, Надточий А.М.1, Харченко А.А.1, Шварц М.З.2, Жуков А.Е.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 ноября 2019 г.
В окончательной редакции: 22 ноября 2019 г.
Принята к печати: 26 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.
PDF версия
Проведено исследование солнечных элементов на основе нового типа наноструктур - квантовых ям-точек (КЯТ), представляющих собой слой In0.4Ga0.6As с выраженными модуляциями состава и толщины. Энергии наблюдаемых оптических переходов в КЯТ оказываются близки к энергиям переходов с участием тяжелой и легкой дырки в двумерной квантовой яме той же номинальной толщины и состава. Пик основного состояния характеризуется сильной ТЕ-поляризацией (>70%), а более коротковолновый пик практически не поляризован (<10%). Ключевые слова: фотопреобразователь, квантово-размерные гетероструктуры, внутренняя квантовая эффективность, спектроскопия.
  1. Блохин С.А., Сахаров А.В., Надточий А.М., Паюсов А.С., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Ковш А.Р., Михрин С.С., Лантратов В.М., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Шварц М.З. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 4. С. 537--542
  2. Wheeldon J.F., Valdivia C.E., Masson D., Proulx F., Riel B., Puetz N., Desfonds E., Fafard S., Rioux B., Springthorpe A.J., Ares R., Aimez V., Armstrong M., Cook J., Shepherd F., Hall T.J., Hinzer K. // Proc. SPIE. 2010. V. 7750. P. 77502Q
  3. Semonin O.E., Luther J.M., Choi S., Chen H.Y., Gao J.B., Nozik A.J., Beard M.C. // Science. 2011. V. 334. P. 1530--1533
  4. Alonso-Alvarez D., Thomas T., Fuhrer M., Hylton N.P., Ekins-Daukes N.J., Lackner D., Philipps S.P., Bett A.W., Sodabanlu H., Fujii H., Watanabe K., Sugiyama M., Nasi L., Campanini M. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. P. 083124
  5. Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Salii R.A., Nadtochiy A.M., Payusov A.S., Brunkov P.N., Nevedomsky V.N., Shvarts M.Z., Marti A., Andreev V.M., Luque A. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2016. V. 24. P. 1261--1271
  6. Browne B., Lacey J., Tibbits T., Bacchin G., Wu T.C., Liu J.Q., Chen X., Rees V., Tsai J., Werthen J.G. // AIP Conf. Proc. 2013. V. 1556. P. 3-5
  7. Fujii H., Toprasertpong K., Wang Y., Watanabe K., Sugiyama M., Nakano Y. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2014. V. 22. P. 784--795
  8. Kerestes C., Polly S., Forbes D., Bailey C., Podell A., Spann J., Patel P., Richards B., Sharps P., Hubbard S. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2014. V. 22. P. 1172--1179
  9. Жуков А.Е., Максимов М.В., Ковш А.Р. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 10. С. 1249--1273
  10. Klotzkin D.J. Introduction to semiconductor lasers for optical communications. Springer, 2014. P. 59. DOI: 10.1007/978-1-4614-9341-9
  11. Sodabanlu H., Wang Y., Watanabe K., Sugiyama M., Nakano Y. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. P. 233104
  12. Fujii H., Sodabanlu H., Sugiyama M., Nakano Y. // J. Cryst. Growth. 2015. V. 414. P. 3--9
  13. Fujii H., Katoh T., Toprasertpong K., Sodabanlu H., Watanabe K., Sugiyama M., Nakano Y. // J. Appl. Phys. 2015. V. 117. P. 154501
  14. Cirlin G.E., Reznik R.R., Shtrom I.V., Khrebtov A.I., Samsonenko Yu.B., Kukushkin S.A., Kasama T., Akopian N., Leonardo L. // Semiconductors. 2018. V. 52. P. 462--464
  15. Yu Q., Li X., Jia Y., Lu W., Zheng M., Zhang X., Ning Y., Wu J. // ACS Photon. 2018. V. 5. P. 4896--4902
  16. Mintairov A., Kalyuzhnyy N.A., Maximov M.V., Nadtochiy A.M., Zhukov A.E. // Semicond. Sci. Technol. 2017. V. 32. P. 015006
  17. Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Maximov M.V., Nadtochiy A.M., Rouvimov S., Zhukov A.E. // IEEE Electron. Lett. 2015. V. 51. P. 1602--1604
  18. Payusov A.S., Shernyakov Yu.M., Serin A.A., Nadtochiy A.M., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Kulagina M.M., Zhukov A.E., Gordeev N.Yu., Maximov M.V. // J. Phys.: Conf. Ser. 2018. V. 1135. P. 012071. DOI: 10.1088/1742-6596/1135/1/012071
  19. Stier O., Grundmann M., Bimberg D. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. P. 5688--5701
  20. Van de Walle C.G., Martin R.M. // Phys. Rev. B. 1987. V. 35. P. 8154--8165
  21. Nadtochiy A.M., Maximov M.V., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Nevedomskiy V.N., Rouvimov S.S., Zhukov A.E. // Phys. Status Solidi B. 2018. V. 255. P. 1800123. DOI: 10.1002/pssb.201800123
  22. Davies J. The physics of low-dimensional semiconductors. Cambridge University Press, 1997. P. 390
  23. Kita T., Suwa M., Kaizu T., Harada Y. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. P. 233512
  24. Jayavel P., Tanaka H., Kita T., Wada O., Ebe H., Sugawara M., Tatebayashi J., Arakawa Y., Nakata Y., Akiyama T. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 1820--1822
  25. Yu P., Langbein W., Leosson K., Hvam J.M., Ledentsov N.N., Bimberg D., Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Tsatsul'nikov A.F., Musikhin Yu.G. // Phys. Rev. B. 1999. V. 60. P. 16680--16685.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme