Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 5 » Статья стр. 27
<<<>>>
Толстые эпитаксиальные слои alpha-Ga2O3 : Sn на профилированной сапфировой подложке
DOI: 10.21883/PJTF.2020.05.49104.18107
Переводная версия: 10.1134/S106378502003013X
Николаев В.И.1,2, Печников А.И.1,2, Гузилова Л.И.1,2, Чикиряка А.В.1, Щеглов М.П.1, Николаев В.В.3, Степанов С.И.1,2,3, Васильев А.А.2, Щемеров И.В.2, Поляков А.Я.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimir.i.nikolaev@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 ноября 2019 г.
В окончательной редакции: 27 ноября 2019 г.
Принята к печати: 28 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.
PDF версия
Получены и исследованы эпитаксиальные слои нового широкозонного полупроводника alpha-Ga2O3, легированного оловом. Слои выращены методом хлоридной эпитаксии на гладких и профилированных сапфировых подложках. Данный тип профилированных подложек широко применяется для увеличения выхода излучения в высокоэффективных светодиодных структурах на основе InGaN. Проведен сравнительный анализ свойств полученных слоев оксида галлия. Оба типа образцов обладали проводимостью n-типа, однако выявлено различие в зависимостях емкости от частоты и емкости от напряжения. Методом рентгеновской дифрактометрии установлены различия дислокационной структуры в эпитаксиальных слоях alpha-Ga2O3 на гладких и профилированных подложках. Ключевые слова: оксид галлия, хлоридная эпитаксия, профилированные подложки.
  1. Lin H.C., Lin R.S., Chyi J.I., Lee C.M. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2008. V. 20. N 19. P. 1621--1623. https://doi.org/10.1109/LPT.2008.2002736
  2. Kim Y.H., Ruh H., Noh Y.K., Kim M.D., Oh J.E. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. N 6. P. 063501. https://doi.org/10.1063/1.3327004
  3. Remeika J.P., Marezio M. // Appl. Phys. Lett. 1966. V. 8. N 4. P. 87--88. https://doi.org/10.1063/1.1754500
  4. Uchida T., Kaneko K., Fujita S. // Mater. Res. Soc. 2018. V. 3. N 3. P. 171--177. https://doi.org/10.1557/adv.2018.45
  5. Chikoidze E., Von Bardeleben H.J., Akaiwa K., Shigematsu E., Kaneko K., Fujita S., Dumont Y. // J. Appl. Phys. 2016. V. 120. N 2. P. 025109. https://doi.org/10.1063/1.4958860
  6. Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Yakimov E.B., Nikolaev V.I., Stepanov S.I., Pechnikov A.I., Chernykh A.V., Shcherbachev K.D., Shikoh A.S., Kochkova A., Vasilev A.A., Pearton S.J. // APL Mater. 2019. V. 7. N 5. P. 051103. https://doi.org/10.1063/1.5094787
  7. Pearton S.J., Yang J., Cary IV P.H., Ren F., Kim J., Tadjer M.J., Mastro M.A. // Appl. Phys. Rev. 2018. V. 7. N 5. P. 011301. https://doi.org/10.1063/1.5006941
  8. Печников А.И., Степанов С.И., Чикиряка А.В., Щеглов М.П., Одноблюдов М.А., Николаев В.И. // ФТП. 2019. Т. 53. В. 6. С. 789--792
  9. Ko D., Yoon J., Seo J. // LEDs Mag. 2014. URL: https://www.ledsmagazine.com/manufacturing-services-testing /research-development/article/16695192/patterned-substrates-enhance-led-light-extraction-magazine
  10. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Nikolaev V.V., Sheglov M.P., Chikiryaka A.V., Stepanov S.I. Growth of Ga2O3 regular column structures by halide vapour phase epitaxy: alpha- and ε-phase relation // 2019 Compound Semiconductor Week (CSW 2019). Proceedings. IEEE, 2019. P. 8819271. https://doi.org/10.1109/ICIPRM.2019.8819271
  11. Oshima Y., Kawara K., Shinohe T., Hitora T., Kasu M., Fujita S. // APL Mater. 2019. V. 7. N 2. P. 022503. https://doi.org/10.1063/1.5051058
  12. Heinke H., Kirchner V., Einfeldt S., Hommel D. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. N 14. P. 2145--2147. https://doi.org/10.1063/1.1314877
  13. Jeon D.W., Son H., Hwang J., Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Chernykh A.V., Kochkova A.I., Pearton S.J., Lee I.H. // APL Mater. 2018. V. 6. N 12. P. 121110. https://doi.org/10.1063/1.5075718
  14. Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Gogova D., Tarelkin S.A., Pearton S.J. // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. N 11. P. 115702. https://doi.org/10.1063/1.5025916
  15. Lany S. // APL Mater. 2018. V. 6. N 4. P. 046103. https://doi.org/10.1063/1.5019938

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme