Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 8 » Статья стр. 36
<<<>>>
Снижение плотности прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/c-сапфир, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2020.08.49307.18168
Переводная версия: 10.1134/S1063785020040240
Ратников В.В.1, Нечаев Д.В.1, Мясоедов А.В.1, Кошелев О.А.1, Жмерик В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ratnikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 28 января 2020 г.
Принята к печати: 28 января 2020 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
PDF версия
С помощью многокристальной рентгеновской дифрактометрии и системы многолучевого оптического измерителя напряжений исследовались темплейты AlN/c-сапфир, выращенные методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследования зародышевых и буферных слоев, выращенных при различных соотношениях ростовых потоков Al и N* и температурах подложки, показали возможность получения темплейтов с небольшими растягивающими упругими напряжениями (<0.5 GPa) и плотностями винтовых и краевых прорастающих дислокаций 4·108 и 8·109 cm-2 соответственно. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, темплейты AlN/c-сапфир, прорастающие дислокации, рентгеновская дифрактометрия.
  1. Properties of group III nitrides / Eds J.H. Edgar. London: INSPEC, 1994. 302 p
  2. Faleev N., Lu H., Schaff W.J. // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. P. 093516
  3. Nechaev D.V., Aseev P.A., Jmerik V.N., Brunkov P.N., Kuznetsova Y.V., Sitnikova A.A., Ratnikov V.V., Ivanov S.V. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 378. P. 319-322
  4. Jmerik V.N., Nechaev D.V., Ivanov S.V. // Molecular beam epitaxy: from research to mass production. 2nd ed. Elsevier, 2018. P. 135-179
  5. Золотухин Д.С., Нечаев Д.В., Иванов С.В., Жмерик В.Н. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 5. С. 60-67
  6. Srikant V., Speck J.S., Clarke D.R. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 4286-4295
  7. Heinke H., Kirchner V., Einfeldt S., Hommel D. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 2145-2147
  8. Moram M.A., Vickers M.E. // Rep. Prog. Phys. 2009. V. 72. P. 036502
  9. Metzger T., Hopler R., Born E., Ambacher O., Stutzmann M., Stommer R., Schuster M., Gobel H., Christiansen S., Albrecht M., Strunk H.P. // Phil. Mag. A. 1998. V. 77. P. 1013-1025
  10. Sheldon B.W., Rajamani A., Bhandari A., Chason E., Hong S.K., Beresford R. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 043509
  11. Nix W.D., Clemens B.M. // J. Mater. Res. 1999. V. 14. P. 3467-3473
  12. Raghavan S., Redwing J.M. // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. P. 2995-3003
  13. Кютт Р.Н., Ратников В.В., Мосина Г.Н., Щеглов М.П. // ФТТ. 1999. Т. 41. В. 1. С. 30-37
  14. Romanov A.E., Speck J.S. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 2569-2571
  15. Cantu P., Wu F., Waltereit P., Keller S., Romanov A.E., DenBaars S.P., Speck J.S. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. P. 103534
  16. Mathis S.K., Romanov A.E., Chen L.F., Beltz G.E., Pompe W., Speck J.S. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 231. P. 371-390

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme