Получение тонких пленок графита на диэлектрической подложке с помощью гетероэпитаксиального синтеза
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а, 18-38-00884
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), А, 19-07-00432
Сорокин И.А.
1,2, Колодко Д.В.
1,2, Лузанов В.А.
1, Шустин Е.Г.
1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: iasorokin@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 28 февраля 2020 г.
Принята к печати: 2 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 28 марта 2020 г.
Представлены результаты отработки методики получения тонких графитовых пленок на диэлектрической подложке методом отжига структуры Al2O3(0001)/Ni(111)/ta-C. Методика основана на каталитическом разложении углеводородов на поверхности монокристаллической пленки металла-катализатора на диэлектрической подложке и последующей диффузии и кристаллизации углерода между металлической пленкой и подложкой. После химического травления металлической пленки получается тонкая графитовая пленка с низкой плотностью дефектов кристаллической структуры на диэлектрической подложке. Ключевые слова: графен, гетероэпитаксия, металл-катализатор, синтез, никель, диэлектрическая подложка.
- Wu Y., Jenkins K.A., Valdes-Garcia A., Farmer D.B., Zhu Y., Bol A.A., Dimitrakopoulos Ch., Zhu W., Xia F., Avouris Ph., Lin Y.-M. // Nano Lett. 2012. V. 12. N 6. P. 3062--3067. DOI: 10.1021/nl300904k
- Bonaccorso F., Lombardo A., Hasan T., Suna Zh., Colombob L., Ferraria A.C. // Mater. Today. 2012. V. 15. N 12. P. 564--589. DOI: 10.1016/S1369-7021(13)70014-2
- Randviir E.P., Brownson D.A.C., Banks C.E. // Mater. Today. 2014. V. 17. N 9. P. 426--432. DOI: 10.1016/j.mattod.2014.06.001
- Peng Z., Yan Z., Sun Z., Tour J.M. // ACS Nano. 2011. V. 5. N 10. P. 8241--8247. DOI: 10.1021/nn202923y
- Zheng M., Takei K., Hsia B., Fang H., Zhang X., Ferralis N., Ko H., Chueh Y.-L., Zhang Y., Maboudian R., Javey A. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. N 6. P. 063110. DOI: 10.1063/1.3318263
- Xu M., Fujita D., Sagisaka K., Watanabe E., Hanagata N. // ACS Nano. 2011. V. 5. N 2. P. 1522--1528. DOI: 10.1021/nn103428k
- Sun Z., Yan Z., Yao J., Beitler E., Zhu Y., Tour J.M. // Nature. 2011. V. 471. N 7336. P. 124. DOI: 10.1038/nature09804
- Шустин Е.Г., Исаев Н.В., Лузанов В.А., Темирязева М.П. // ЖТФ. 2017. Т. 87. В. 7. С. 1053--1056. DOI: 10.21883/JTF.2017.07.44677.2006 [Пер. версия: 10.1134/S1063784217070210]
- Luzanov V.A., Kotelyanskii I.M., Shustin E.G. // J. Commun. Technol. Electron. 2017. V. 62. N 7. P. 820--821. DOI: 10.1134/S1064226917060134
- Rahman M., Boggs Z., Neff D., Norton M. // Langmuir. 2018. V. 34. N 49. P. 15014--15020. DOI: 10.1021/acs.langmuir.8b01851
- Nakanishi S., Horiguchi T. // Jpn. J. Appl. Phys. 1981. V. 20. N 3. P. L214--L216. DOI: 10.1143/jjap.20.l214
- Ismach A., Chou H., Ferrer D.A., Wu Y., McDonnell S., Floresca H.C., Covacevich A., Pope C., Piner R., Kim M.J., Wallace R.M., Colombo L., Ruoff R.S. // ACS Nano. 2012. V. 6. N 7. P. 6378--6385. DOI: 10.1021/nn301940k
- Baraton L., He Z.B., Lee C.S., Cojocaru C.S., Ch \hat atelet M., Maurice J.-L., Lee Y.H., Pribat D. // Europhys. Lett. 2011. V. 96. N 4. P. 46003. DOI: 10.1209/0295-5075/96/46003
- Фомин Л.А., Маликов И.В., Винниченко В.Ю., Калач К.М., Пяткин С.В., Михайлов Г.М. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008. N 2. С. 27--32 [Пер. версия: 10.1007/s11700-008-1015-z]
- Сорокин И.А., Колодко Д.В., Шустин Е.Г. // ЖТФ. 2018. Т. 88. В. 8. С. 1191--1194. DOI: 10.21883/JTF.2018.08.46307.2629 [Пер. версия: 10.1134/S1063784218080194]
- Chu P.K., Li L. // Mater. Chem. Phys. 2006. V. 96. N 2-3. P. 253--277. DOI: 10.1016/j.matchemphys.2005.07.048
- Lahiri J., Miller T.S., Ross A.J., Adamska L., Oleynik I.I., Batzill M. // New J. Phys. 2011. V. 13. P. 025001 (1--19). DOI: 10.1088/1367-2630/13/2/025001
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.