Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 11 » Статья стр. 19
<<<>>>
Электропроводность монокристаллов MnGaInSе4 на переменном токе
DOI: 10.21883/PJTF.2020.11.49493.18241
Переводная версия: 10.1134/S1063785020060103
Нифтиев Н.Н.1, Мамедов Ф.М.2, Мурадов М.Б.3
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
2Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Email: namiq7@bk.ru
Поступила в редакцию: 11 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 11 февраля 2020 г.
Принята к печати: 10 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.
PDF версия
Приводятся результаты исследования частотных и температурных зависимостей электропроводности монокристаллов MnGaInSе4 на переменном электрическом токе. Установлено, что в температурном интервале 295.5-360 K при частотах 2· 104-106 Hz для электропроводности выполняется закономерность sigma~ fS(0.1≤ S≤ 1.0). Показано, что в монокристалле MnGaInSе4 зависимость электропроводности от частоты можно объяснить при помощи мультиплетной модели, а проводимость в этих монокристаллах характеризуется зонно-прыжковым механизмом. На основе зависимостей ~ 103/T определены энергии активации. Ключевые слова: переменный ток, электропроводность, частота, зонно-прыжковый механизм, энергия активации, MnGaInSе4.
  1. Hwang Y., Choi J., Ha Y., Cho S., Park H. // Current Appl. Phys. 2020. V. 20. N 1. P. 212--218
  2. Myoung B.R., Lim J.T., Kim C.S. // J. Magn. Magn. Mater. 2017. V. 438. P. 121--125
  3. Боднарь И.В., Детков С.А., Касюк Ю.В., Федотова Ю.А. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 10. С. 1203--1206
  4. Kennedy A., Senthil Kumar V., Pradeev Raj K. // Mater. Lett. 2017. V. 195. P. 96--99
  5. Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Мурадов М.Б., Мамедов Ф.М. // ЖТФ. 2012. Т. 82. В. 4. С. 147--149
  6. Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 1. С. 39--43
  7. Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Мурадов М.Б., Мамедов Ф.М., Казымова Ф.А. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 22. С. 79--83
  8. Sagredo V., Moron M., Betancourt L., Delgado G. // J. Magn. Мagn. Mater. 2007. V. 312. N 2. P. 294--297
  9. Torres T., Sagredo V., De Chalbaud L., Attolini G., Bolzoni F. // Physica B. 2006. V. 384. N 1-2. P. 100--102
  10. Lei S., Tang K., Fang Z., Qi Y., Zheng H. // Mater. Res. Bull. 2006. V. 41. N 12. P. 2325--2333
  11. Mammadov F.M., Aliyeva M.Kh., Amiraslanov I.R., Niftiyev N.N. // Azerb. Chem. J. 2017. N 4. P. 69--72
  12. Batistony C., Gastaldi L., Mattogno G., Simeone M.G., Viticoli S. // Solid State Commun. 1987. V. 61. N 1. P. 43--46
  13. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. Т. 1. 368 с
  14. Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Мурадов М.Б., Алиджанов М.А. // УФЖ. 2002. Т. 47. N 11. С. 1054--1056
  15. Нифтиев Н.Н. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 2. С. 166--167
  16. Bottger H., Bruksin V.V. // Phys. Status Solidi B. 1982. V. 113. N 1. P. 9--49
  17. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 416 с
  18. Брыксин В.В. // ФТТ. 1980. Т. 22. В. 8. С. 2441--2449

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme