Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 11 » Статья стр. 26
<<<>>>
Повышение эффективности фильтрации прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/c-Al2O3 с фасетированной морфологией поверхности во время их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2020.11.49495.18280
Переводная версия: 10.1134/S1063785020060097
Мясоедов А.В.1, Нечаев Д.В.1, Ратников В.В.1, Калмыков А.Е.1, Сорокин Л.М.1, Жмерик В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amyasoedov88@gmail.com
Поступила в редакцию: 10 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 10 марта 2020 г.
Принята к печати: 11 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.
PDF версия
Приведены результаты исследования методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии темплейтов AlN/c-Al2O3 с ультратонкими вставками GaN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что буферные слои AlN с фасетированной морфологией поверхности обеспечивают большее снижение плотности прорастающих дислокаций, чем гладкие слои. Подтверждено фильтрующее действие ультратонких вставок GaN. Ключевые слова: темплейты AlN/c-сапфир, прорастающие дислокации, молекулярно-пучковая эпитаксия, рентгеновская дифрактометрия.
  1. Moustakas T.D., Paiella R. // Rep. Prog. Phys. 2017. V. 80. P. 106501
  2. Hirayama H. Recent progress in AlGaN deep-UV LEDs // Light-emitting diode. An outlook on the empirical features and its recent technological advancements. InTech, 2018. P. 127--158
  3. Hartmann C., Dittmar A., Wollweber J., Bickermann M. // Semicond. Sci. Technol. 2014. V. 29. P. 084002
  4. Sumathi R.R., Gille P. // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2014. V. 25. P. 3733--3741
  5. Argunova T.S., Gutkin M.Yu., Je J.H., Kalmykov A.E., Kazarova O.P., Mokhov E.N., Mikaelyan K.N., Myasoedov A.V., Sorokin L.M., Shcherbachev K.D. // Crystals. 2017. V. 7. P. 163--175
  6. Jmerik V.N., Nechaev D.V., Ivanov S.V. Kinetics of metal-rich PA molecular beam epitaxy of AlGaN heterostructures for mid-UV photonics // Molecular beam epitaxy: from research to mass production / Ed. M. Henini. 2nd ed. Elsevier Inc., 2018. Ch. 8. P. 135--179
  7. Nechaev D.V., Aseev P.A., Jmerik V.N., Brunkov P.N., Kuznetsova Y.V., Sitnikova A.A., Ratnikov V.V., Ivanov S.V. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 378. P. 319--322
  8. Rouviere J-L., Arlery M., Bourret A. // Microscopy of semiconducting materials. Int. Phys. Conf. Ser. N 157. London: IOP Publ., 1997. P. 173--182
  9. Mathis S.K., Romanov A.E., Chen L.F., Beltz G., Pompe W., Speck J.S. // Phys. Status Solidi A. 2000. V. 179. P. 125--145
  10. http://www.matprop.ru/AlN\_mechanic
  11. Hull D., Bacon D.J. Introduction to dislocations. 5th ed. Amsterdam: Elsevier, 2011. 257 p.
  12. Srikant V., Speck J.S., Clarke D.R. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 4286--4295
  13. Heinke H., Kirchner V., Einfeldt S., Hommel D. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 2145--2147
  14. Metzger T., Hopler R., Born E., Ambacher O., Stutzmann M., Stommer R., Schuster M., Gobel H., Christiansen S., Albrecht M., Strunk H.P. // Phil. Mag. A. 1998. V. 77. P. 1013--1025.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme