Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 11 » Статья стр. 34
<<<>>>
Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу
DOI: 10.21883/PJTF.2020.11.49497.18261
Переводная версия: 10.1134/S1063785020060024
РФФИ , №18-02-00565
РНФ, №17-19-01580
Дроздов М.Н.1, Архипова Е.А.1, Дроздов Ю.Н.1, Краев С.А.1, Шашкин В.И.1, Парафин А.Е.1, Лобаев М.А.2, Вихарев А.Л.2, Горбачев А.М.2, Радищев Д.Б.2, Исаев В.А.2, Богданов С.А.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: drm@ipm.sci-nnov.ru, suroveginaka@ipmras.ru, drozdyu@ipm.sci-nnov.ru, kraev@ipm.sci-nnov.ru, sha@ipmras.ru, parafin@ipmras.ru, lobaev@appl.sci-nnov.ru, val@appl.sci-nnov.ru, gorb@appl.sci-nnov.ru, dibr@inbox.ru, isaev@appl.sci-nnov.ru, bogser@appl.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 25 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 10 марта 2020 г.
Принята к печати: 12 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.
PDF версия
Исследуется влияние импульсного лазерного отжига на процесс формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу. С использованием метода вторично-ионной масс-спектрометрии показано, что лазерный отжиг контактов приводит к эффективной диффузии атомов углерода в слой титана и формированию карбида титана в переходной области с алмазом толщиной 15-20 nm. Быстрый термический отжиг такой же контактной системы сопровождается резким возрастанием содержания кислорода в слое титана и переходном слое с алмазом и возникновением окисла титана. При этом фаза карбида титана в переходном слое Ti-C не формируется. Показано также, что в использованном режиме лазерного отжига не происходит графитизации приконтактного слоя алмаза, что могло бы кардинально снизить механическую прочность и адгезию контактов. Ключевые слова: алмаз, омические контакты, отжиг, карбиды, окислы, графитизация.
  1. Power electronics device applications of diamond semiconductors / Eds S. Koizumi, H. Umezawa, J. Pernot, M. Suzuki. Woodhead Publishing Ser. in Electronic and Optical Materials. Elsevier, 2018. 452 p
  2. Духновский М.П., Ратникова А.К., Федоров Ю.Ю. Металлизированная пластина алмаза для изделий электронной техники. Патент РФ. RU 2 436 189 C1. Опубликовано: 10.12.2011. Бюл. N 34
  3. Viljoen P.E., Lambers E.S., Holloway P.H. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1994. V. 12. N 5. P. 2997--3005
  4. Kono S., Teraji T., Kodama H., Ichikawa K., Ohnishi S., Sawabe A. // Diamond Relat. Mater. 2015. V. 60. P. 117--122
  5. Дроздов М.Н., Демидов Е.В., Дроздов Ю.Н., Краев С.А., Шашкин В.И., Архипова Е.А., Лобаев М.А., Вихарев А.Л., Горбачев А.М., Радищев Д.Б., Исаев В.А., Богданов С.А. // ЖТФ. 2019. Т. 89. В. 12. С. 1923--1932
  6. Venkatesan V., Malta D.M., Das K., Belu A.M. // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. N 2. P. 1179--1187
  7. Yokoba M., Koide Y., Otsuki A., Ako F., Oku T., Murakami M. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. N 10. P. 6815--6821
  8. Leroy W.P., Detavernier C., Van Meirhaeghe R.L., Kellock A.J., Lavoie C. // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. N 6. P. 063704 (1--5)
  9. Tzou A.J, Hsieh D.H., Chen S.H., Li Z.Y., Chang C.Y., Kuo H.C. // Semicond. Sci. Technol. 2016. V. 31. N 5. P. 055003
  10. De Feudis M., Caricato A.P., Chiodini G., Martino M., Alemanno E., Maruccio G., Monteduro A.G., Ossi P.M., Perrino R., Spagnolo S. // Diamond Relat. Mater. 2016. V. 65. P. 137--143
  11. Юнин П.А., Волков П.В., Дроздов Ю.Н., Колядин А.В., Королев С.А., Радищев Д.Б., Суровегина Е.А., Шашкин В.И. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 11. С. 1321--1325
  12. Vikharev L.A., Gorbachev A.M., Lobaev M.A., Muchnikov A.B., Radishev D.B., Isaev V.A., Chernov V.V., Bogdanov S.A., Drozdov M.N., Butler J.E. // Phys. Status Solidi RRL. 2016. V. 10. N 4. P. 324--327
  13. Хмельницкий Р.А., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. Синтетический алмаз для электроники и оптики. М.: Изд-во ИКАР, 2017. 228 с
  14. Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Охапкин А.И., Юнин П.А., Стрелецкий О.А., Иешкин А.Е. // Письма в ЖТФ. 2020. Т. 46. В. 6. С. 38--42
  15. Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Охапкин А.И., Краев С.А., Лобаев М.А. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 2. С. 50--54

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme