Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Индий-индуцированная кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063785020060280 
Грант Президента Российской Федерации, МК-638.2019.8
Государственное задание ИТ СО РАН
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
Email: zamchiy@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 января 2020 г.
В окончательной редакции: 20 марта 2020 г.
Принята к печати: 20 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 21 апреля 2020 г.
Предложен новый метод получения поликристаллического кремния путем индий-индуцированной кристаллизации тонких пленок аморфного субоксида кремния со стехиометрическим коэффициентом 0.5 (a-SiO0.5). Показано, что использование индия в процессе отжига a-SiO0.5 позволяет снизить температуру кристаллизации до 600oC, что существенно ниже температуры твердотельной кристаллизации такого материала (850oC). В результате процесса индий-индуцированной кристаллизации a-SiO0.5, протекающего в высоком вакууме, происходит формирование свободностоящих частиц кристаллического кремния микронного размера. Ключевые слова: тонкие пленки, субоксид кремния, индий-индуцированная кристаллизация, поликристаллический кремний.
- Maity G., Singhal R., Dubey S., Ojha S., Kulriya P.K., Dhar S., Som T., Kanjilal D., Patel S.P. // J. Non-Cryst. Solids. 2019. V. 523. P. 119628. doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2019.119628
- Nguyen T.T., Hiraiwa M., Koganezawa T., Yasuno S., Kuroki S.-I. // Jpn. J. Appl. Phys. 2018. V. 57. P. 031302. doi.org/10.7567/JJAP.57.031302
- Kumar A., Widenborg P.I., Dalapati G.K., Ke C., Subramanian G.S., Aberle A. // Cryst. Growth Design. 2015. V. 15. P. 1067--1072. doi.org/10.1021/cg5011659
- Haschke J., Amkreutz D., Rech B. // Jpn. J. Appl. Phys. 2016. V. 55. P. 04EA04. doi.org/10.7567/JJAP.55.04EA04
- Wang Z., Jeurgens L.P.H., Mittemeijer E.J. Metal-induced crystallization: fundamentals and applications. 1st ed. Boca Raton: CRC Press Taylor \& Francis Group, 2015. 308 p. doi.org/10.1201/b18032
- Баранов Е.А., Замчий А.О., Хмель С.Я. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 20. С. 89--95. [Пер. версия: 10.1134/S1063785015100181]
- Zamchiy A.O., Baranov E.A., Khmel S.Ya., Volodin V.A., Vdovin V.I., Gutakovskii A.K. // Appl. Phys. A. 2018. V. 124. P. 646. doi.org/10.1007/s00339-018-2070-y
- Zamchiy A.O., Baranov E.A., Maximovskiy E.A., Volodin V.A., Vdovin V.I., Gutakovskii A.K., Korolkov I.V. // Mater. Lett. 2020. V. 261. P. 127086. doi/10.1016/j.matlet.2019.127086
- Kang D.-H., Park J.-H. // Mater. Res. Bull. 2014. V. 60. P. 814--818. doi.org/10.1016/j.materresbull.2014.09.037
- Berengue O.M., Rodrigues A.D., Dalmaschio C.J., Lanfredi A.J.C., Leite E.R., Chiquito A.J. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. V. 43. P. 045401. DOI: 10.1088/0022-3727/43/4/045401
- Van Sebille M., Fusi A., Xie L., Ali H., van Swaaij R.A.C.M.M., Leifer K., Zeman M. // Nanotechnology. 2016. V. 27. P. 365601. DOI: 10.1088/0957-4484/27/36/365601
- Zamchiy A.O., Baranov E.A., Merkulova I.E., Volodin V.A., Sharafutdinov M.R., Khmel S.Y. // Vacuum. 2018. V. 152. P. 319--326. doi.org/10.1016/j.vacuum.2018.03.055
- Neimash V.B., Goushcha A.O., Shepeliavyi P.E., Yukhymchuk V.O., Dan'ko V.A., Melnyk V.V., Kuzmich A.G. // Ukr. J. Phys. 2014. V. 59. P. 1168--1176. DOI: 10.15407/ujpe59.12.1168
- Han L., Zeman M., Smets A.H.M. // Nanoscale. 2015. V. 7. P. 8389--8397. DOI: 10.1039/c5nr00468c
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
