Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 16 » Статья стр. 3
>>>
Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs
DOI: 10.21883/PJTF.2020.16.49844.18354
Переводная версия: 10.1134/S1063785020080295
Russian Science Foundation , 19-72-30010
National Research University Higher School of Economics , Basic Research Program
Жуков А.Е.1, Моисеев Э.И.1, Надточий А.М.1, Драгунова А.C.1, Крыжановская Н.В.1, Кулагина М.М.2, Можаров А.М.3, Кадинская С.А.3, Симчук О.И.3, Зубов Ф.И.3, Максимов М.В.3
1Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: zhukale@gmail.com
Поступила в редакцию: 24 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 6 мая 2020 г.
Принята к печати: 6 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июня 2020 г.
PDF версия
Микродисковые лазеры AlGaAs/GaAs с квантовыми точками InAs/InGaAs были перенесены на поверхность кремниевой пластины с помощью индиевого припоя. Микролазеры имеют общий электрический контакт, нанесенный поверх остаточной подложки n+-GaAs, а индивидуальная адресация достигается за счет размещения микродисков p-контактом вниз на раздельные контактные площадки на кремнии. Не выявлено влияния чужеродной подложки на электрические, пороговые, тепловые и спектральные характеристики. Микродиски способны работать в непрерывном режиме без принудительного охлаждения с пороговой плотностью тока около 0.7 kA/cm2. Длина волны генерации стабильна (< 0.1 nm/mA) по отношению к току инжекции. Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, микродисковый лазер, наноструктуры, гибридная интеграция.
  1. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П. // УФН. 2008. Т. 178. N 5. С. 459--480
  2. Cornet C., Leger Y., Robert C. Integrated lasers on silicon. London: ISTE Press, 2016. 178 p
  3. Liu A.Y., Zhang C., Norman J., Snyder A., Lubyshev D., Fastenau J.M., Liu A.W.K., Gossard A.C., Bowers J.E. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. N 4. P. 041104
  4. Chen S., Li W., Wu J., Jiang Q., Tang M., Shutts S., Elliott S.N., Sobiesierski A., Seeds A.J., Ross I., Smowton P.M., Liu H. // Nature Photon. 2016. V. 10. N 5. P. 307--311
  5. Wan Y., Norman J., Li Q., Kennedy M.J., Liang D., Zhang C., Huang D., Zhang Z., Liu A.Y., Torres A., Jung D., Gossard A.C., Hu E.L., Lau K.M., Bowers J.E. // Optica. 2017. V. 4. N 8. P. 940--944
  6. Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Polubavkina Yu., Maximov M., Kulagina M., Troshkov S., Zadiranov Yu., Guseva Yu., Lipovskii A., Tang M., Liao M., Wu J., Chen S., Liu H., Zhukov A. // Opt. Lett. 2017. V. 42. N 17. P. 3319--3322
  7. Wan Y., Inoue D., Jung D., Norman J.C., Shang C., Gossard A.C., Bowers J.E. // Photon. Res. 2018. V. 6. N 8. P. 776--781
  8. Liu A.Y., Herrick R.W., Ueda O., Petroff P.M., Gossard A.C., Bowers J.E. // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2015. V. 21. N 6. P. 1900708
  9. Tanabe K., Watanabe K., Arakawa Y. // Sci. Rep. 2012. V. 2. P. 349
  10. Zhang C., Liang D., Kurczveil G., Bowers J.E., Beausoleil R.G. // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2015. V. 21. N 6. P. 1502607
  11. Zou L.-X., Huang Y.-Z., Liu B.-W., Lv X.-M., Ma X.-W., Yang Y.-D., Xiao J.-L., Du Y. // Opt. Express. 2015. V. 23. N 3. P. 2879--2888
  12. Надточий А.М., Крыжановская Н.В., Максимов М.В., Жуков А.Е., Моисеев Э.И., Кулагина М.М., Вашанова К.А., Задиранов Ю.М., Мухин И.С., Аракчеева Е.М., Livshits D., Липовский А.А. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 23. В. 18. С. 70--77
  13. Moiseev E.I., Kryzhanovskaya N.V., Nadtochiy A.M., Maximov M.V., Zhukov A.E., Shostak I.I., Kulagina M.M., Savel'ev A.V., Vashanova K.A., Lipovskii A.A. // J. Phys.: Conf. Ser. 2014. V. 541. P. 012049
  14. Ouyang D., Ledentsov N.N., Bimberg D., Kovsh A.R., Zhukov A.E., Mikhrin S.S., Ustinov V.M. // Semicond. Sci. Technol. 2003. V. 18. N 12. P. L53--L54
  15. Zhukov A.E., Kovsh A.R., Maleev N.A., Mikhrin S.S., Ustinov V.M., Tsatsul'nikov A.F., Maximov M.V., Volovik B.V., Bedarev D.A., Shernyakov Yu.M., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Bimberg D. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. N 13. P. 1926--1928

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme