Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 16 » Статья стр. 39
<<<>>>
Повышение эффективности интегрально-оптического сверхпроводящего датчика одиночных фотонов на подложке ниобата лития за счет дополнительного покровного слоя с высоким показателем преломления
DOI: 10.21883/PJTF.2020.16.49853.18344
Переводная версия: 10.1134/S1063785020080258
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-07-01174
Парфенов М.В. 1,2, Шамрай А.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: mvparfenov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 17 апреля 2020 г.
Принята к печати: 18 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июня 2020 г.
PDF версия
Исследован механизм усиления взаимодействия оптического излучения со сверхпроводящей пленкой нитрида ниобия на поверхности оптических волноводов на подложке ниобата лития при использовании дополнительного покровного слоя с высоким показателем преломления. Показано, что адиабатическая деформация волноводных мод позволяет повысить поглощение света в сверхпроводящей пленке до уровня ~ 1 dB/μm, что дает возможность изготовить на ниобате лития детектор одиночных фотонов с квантовой эффективностью порядка 70%. Ключевые слова: датчик одиночных фотонов, оптический волновод, ниобат лития, оптическая мода, интегральная оптика, квантовая фотоника.
  1. Alibart O., D'Auria V., De Micheli M., Doutre F., Kaiser F., Labonte L., Lunghi T., Picholle E., Tanzilli S. // J. Opt. 2016. V. 18. N 10. P. 104001
  2. Bazzan M., Sada C. // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. N 4. P. 040603
  3. Wooten E.L., Kissa K.M., Yi-Yan A., Murphy E.J., Lafaw D.A., Hallemeier P.F., Maack D., Attanasio D.V., Fritz D.J., McBrien G.J., Bossi D.E. // IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. 2000. V. 6. N 1. P. 69--82
  4. Alferness R. // IEEE J. Quant. Electron. 1981. V. 17. N 6. P. 946--959
  5. Ferrari S., Schuck C., Pernice W. // Nanophotonics. 2018. V. 7. N 1. P. 1725--1758
  6. Agruzov P., Ionov A., Chekmazov S., Bozhko S., Ilichev I., Tronev A., Parfenov M., Shamrai A. // 2019 Conf. on Lasers and Electro-Optics Europe \& European Quantum Electronics Conf. (CLEO/Europe-EQEC 2019). IEEE, 2019. DOI: 10.1109/CLEOE-EQEC.2019.8871852
  7. Tanner M.G., San Emeterio Alvarez L., Jiang W., Warburton R.J., Barber Z.H., Hadfield R.H. // Nanotechnology. 2012. V. 23. N 50. P. 505201
  8. Hopker J.P., Gerrits T., Lita A., Krapick S., Herrman H., Ricken R., Quiring V., Mirin R., Nam S.W., Silberhorn C., Bartley T.J. // APL Photon. 2019. V. 4. N 5. P. 056103. DOI: 10.1063/1.5086276
  9. Ionov A.M., Chichkov V.I., Shamrai A.V., Il'ichev I.V., Ksenz A.S., Orlov V.I., Egorov S.V., Shvets I.V., Bozhko S.I. // Mater. Lett. 2020. V. 260. P. 126918. DOI: 10.1016/j.matlet.2019.126918
  10. Ng D.K.T., Wang Q., Wang T., Ng S.K., Toh Y.T., Lim K.P., Yang Y., Tan D.T.H. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2015. V. 7. N 39. P. 21884--21889. DOI: 10.1021/acsami.5b06329
  11. Parfenov M., Agruzov P., Ilichev I., Shamray A. // J. Phys.: Conf. Ser. 2016. V. 741. N 1. P. 012141
  12. Ильичев И.В., Тогузов Н.В., Шамрай А.В. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 17. С. 97--103
  13. Парфенов М.В., Тронев А.В., Ильичев И.В., Агрузов П.М., Шамрай А.В. // Письма в ЖТФ. 2020. Т. 46. В. 1. С. 8--11
  14. Парфенов М.В., Тронев А.В., Ильичев И.В., Агрузов П.М., Шамрай А.В. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 5. С. 3--5
  15. Hu X., Holzwarth C.W., Masciarelli D., Dauler E.A., Berggren K.K. // IEEE Trans. Appl. Supercond. 2009. V. 19. N 3. P. 336--340

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme