Повышение эффективности интегрально-оптического сверхпроводящего датчика одиночных фотонов на подложке ниобата лития за счет дополнительного покровного слоя с высоким показателем преломления
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-07-01174
Парфенов М.В.
1,2, Шамрай А.В.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: mvparfenov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 17 апреля 2020 г.
Принята к печати: 18 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июня 2020 г.
Исследован механизм усиления взаимодействия оптического излучения со сверхпроводящей пленкой нитрида ниобия на поверхности оптических волноводов на подложке ниобата лития при использовании дополнительного покровного слоя с высоким показателем преломления. Показано, что адиабатическая деформация волноводных мод позволяет повысить поглощение света в сверхпроводящей пленке до уровня ~ 1 dB/μm, что дает возможность изготовить на ниобате лития детектор одиночных фотонов с квантовой эффективностью порядка 70%. Ключевые слова: датчик одиночных фотонов, оптический волновод, ниобат лития, оптическая мода, интегральная оптика, квантовая фотоника.
- Alibart O., D'Auria V., De Micheli M., Doutre F., Kaiser F., Labonte L., Lunghi T., Picholle E., Tanzilli S. // J. Opt. 2016. V. 18. N 10. P. 104001
- Bazzan M., Sada C. // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. N 4. P. 040603
- Wooten E.L., Kissa K.M., Yi-Yan A., Murphy E.J., Lafaw D.A., Hallemeier P.F., Maack D., Attanasio D.V., Fritz D.J., McBrien G.J., Bossi D.E. // IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. 2000. V. 6. N 1. P. 69--82
- Alferness R. // IEEE J. Quant. Electron. 1981. V. 17. N 6. P. 946--959
- Ferrari S., Schuck C., Pernice W. // Nanophotonics. 2018. V. 7. N 1. P. 1725--1758
- Agruzov P., Ionov A., Chekmazov S., Bozhko S., Ilichev I., Tronev A., Parfenov M., Shamrai A. // 2019 Conf. on Lasers and Electro-Optics Europe \& European Quantum Electronics Conf. (CLEO/Europe-EQEC 2019). IEEE, 2019. DOI: 10.1109/CLEOE-EQEC.2019.8871852
- Tanner M.G., San Emeterio Alvarez L., Jiang W., Warburton R.J., Barber Z.H., Hadfield R.H. // Nanotechnology. 2012. V. 23. N 50. P. 505201
- Hopker J.P., Gerrits T., Lita A., Krapick S., Herrman H., Ricken R., Quiring V., Mirin R., Nam S.W., Silberhorn C., Bartley T.J. // APL Photon. 2019. V. 4. N 5. P. 056103. DOI: 10.1063/1.5086276
- Ionov A.M., Chichkov V.I., Shamrai A.V., Il'ichev I.V., Ksenz A.S., Orlov V.I., Egorov S.V., Shvets I.V., Bozhko S.I. // Mater. Lett. 2020. V. 260. P. 126918. DOI: 10.1016/j.matlet.2019.126918
- Ng D.K.T., Wang Q., Wang T., Ng S.K., Toh Y.T., Lim K.P., Yang Y., Tan D.T.H. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2015. V. 7. N 39. P. 21884--21889. DOI: 10.1021/acsami.5b06329
- Parfenov M., Agruzov P., Ilichev I., Shamray A. // J. Phys.: Conf. Ser. 2016. V. 741. N 1. P. 012141
- Ильичев И.В., Тогузов Н.В., Шамрай А.В. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 17. С. 97--103
- Парфенов М.В., Тронев А.В., Ильичев И.В., Агрузов П.М., Шамрай А.В. // Письма в ЖТФ. 2020. Т. 46. В. 1. С. 8--11
- Парфенов М.В., Тронев А.В., Ильичев И.В., Агрузов П.М., Шамрай А.В. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 5. С. 3--5
- Hu X., Holzwarth C.W., Masciarelli D., Dauler E.A., Berggren K.K. // IEEE Trans. Appl. Supercond. 2009. V. 19. N 3. P. 336--340
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
